IXYK110N120C4 IXYS
Виробник: IXYSIGBT Transistors XPT thin-wafer technology, 4th generation (Gen 4) Trench IGBT. Disc IGBT Gen 4 XPT TO264
на замовлення 46 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 1566.4 грн |
| 10+ | 1437.57 грн |
| 25+ | 1062.05 грн |
| 100+ | 1043.39 грн |
| 250+ | 1032.63 грн |
| 500+ | 895.56 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IXYK110N120C4 IXYS
Description: IGBT 1200V 110A GEN4 XPT TO264, Packaging: Tube, Package / Case: TO-264-3, TO-264AA, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Input Type: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 48 ns, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 110A, Supplier Device Package: PLUS264™, Td (on/off) @ 25°C: 40ns/320ns, Switching Energy: 3.6mJ (on), 1.9mJ (off), Test Condition: 600V, 50A, 2Ohm, 15V, Gate Charge: 330 nC, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 310 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 740 A, Power - Max: 1360 W.
Інші пропозиції IXYK110N120C4
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
IXYK110N120C4 | Виробник : IXYS |
Description: IGBT 1200V 110A GEN4 XPT TO264 Packaging: Tube Package / Case: TO-264-3, TO-264AA Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 48 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 110A Supplier Device Package: PLUS264™ Td (on/off) @ 25°C: 40ns/320ns Switching Energy: 3.6mJ (on), 1.9mJ (off) Test Condition: 600V, 50A, 2Ohm, 15V Gate Charge: 330 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 310 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V Current - Collector Pulsed (Icm): 740 A Power - Max: 1360 W |
товар відсутній |