IXYH82N120C3 IXYS SEMICONDUCTOR
Виробник: IXYS SEMICONDUCTORDescription: IXYS SEMICONDUCTOR - IXYH82N120C3 - IGBT, 82 A, 3.2 V, 1.25 kW, 1.2 kV, TO-247AD, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 3.2V
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.25kW
Bauform - Transistor: TO-247AD
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 82A
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 39 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 1350.77 грн |
| 5+ | 1222.09 грн |
| 10+ | 1093.41 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IXYH82N120C3 IXYS SEMICONDUCTOR
Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXYH82N120C3 - IGBT, 82 A, 3.2 V, 1.25 kW, 1.2 kV, TO-247AD, 3 Pin(s), tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, rohsCompliant: YES, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 3.2V, MSL: -, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1.25kW, Bauform - Transistor: TO-247AD, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Kontinuierlicher Kollektorstrom: 82A, SVHC: No SVHC (17-Jan-2023).
Інші пропозиції IXYH82N120C3 за ціною від 1059.29 грн до 1552.42 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IXYH82N120C3 | Виробник : IXYS |
Description: IGBT 1200V 200A 1250W TO247AD Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.2V @ 15V, 82A Supplier Device Package: TO-247 (IXYH) Td (on/off) @ 25°C: 29ns/192ns Switching Energy: 4.95mJ (on), 2.78mJ (off) Test Condition: 600V, 80A, 2Ohm, 15V Gate Charge: 215 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 200 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V Current - Collector Pulsed (Icm): 380 A Power - Max: 1250 W |
на замовлення 176 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
 |
IXYH82N120C3 | Виробник : IXYS |
IGBT Transistors XPT IGBT C3-Class 1200V/160A |
на замовлення 11 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||
 |
IXYH82N120C3 | Виробник : Littelfuse |
Trans IGBT Chip N-CH 1200V 200A 1250000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247AD |
товар відсутній |
|||||||||
 |
IXYH82N120C3 | Виробник : Littelfuse |
Trans IGBT Chip N-CH 1200V 200A 1250W 3-Pin(3+Tab) TO-247AD |
товар відсутній |
|||||||||
 |
IXYH82N120C3 | Виробник : IXYS |
Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 1.2kV; 82A; 1.25kW; TO247-3 Type of transistor: IGBT Technology: GenX3™; Planar; XPT™ Collector-emitter voltage: 1.2kV Collector current: 82A Power dissipation: 1.25kW Case: TO247-3 Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 380A Mounting: THT Gate charge: 215nC Kind of package: tube Turn-on time: 119ns Turn-off time: 295ns кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
|||||||||
|
|
IXYH82N120C3 | Виробник : IXYS |
Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 1.2kV; 82A; 1.25kW; TO247-3 Type of transistor: IGBT Technology: GenX3™; Planar; XPT™ Collector-emitter voltage: 1.2kV Collector current: 82A Power dissipation: 1.25kW Case: TO247-3 Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 380A Mounting: THT Gate charge: 215nC Kind of package: tube Turn-on time: 119ns Turn-off time: 295ns |
товар відсутній |