![IXYH50N120C3 IXYH50N120C3](https://www.mouser.com/images/ixys/lrg/TO_247_AD_3_IXYH_DSL.jpg)
на замовлення 360 шт:
термін постачання 439-448 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 850.02 грн |
10+ | 737.94 грн |
30+ | 572.16 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IXYH50N120C3 IXYS
Description: IGBT 1200V 100A TO247, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Input Type: Standard, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.5V @ 15V, 50A, Supplier Device Package: TO-247 (IXYH), Td (on/off) @ 25°C: 28ns/133ns, Switching Energy: 3mJ (on), 1mJ (off), Test Condition: 600V, 50A, 5Ohm, 15V, Gate Charge: 142 nC, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 100 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 240 A, Power - Max: 750 W.
Інші пропозиції IXYH50N120C3
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
---|---|---|---|---|---|
![]() |
IXYH50N120C3 | Виробник : Littelfuse |
![]() |
товар відсутній |
|
![]() |
IXYH50N120C3 | Виробник : IXYS |
![]() Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 1.2kV; 50A; 750W; TO247-3 Collector-emitter voltage: 1.2kV Gate-emitter voltage: ±20V Collector current: 50A Pulsed collector current: 240A Turn-on time: 96ns Turn-off time: 0.22µs Type of transistor: IGBT Power dissipation: 750W Gate charge: 142nC Technology: GenX3™; Planar; XPT™ Kind of package: tube Mounting: THT Case: TO247-3 кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
|
![]() |
IXYH50N120C3 | Виробник : IXYS |
![]() Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.5V @ 15V, 50A Supplier Device Package: TO-247 (IXYH) Td (on/off) @ 25°C: 28ns/133ns Switching Energy: 3mJ (on), 1mJ (off) Test Condition: 600V, 50A, 5Ohm, 15V Gate Charge: 142 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V Current - Collector Pulsed (Icm): 240 A Power - Max: 750 W |
товар відсутній |
|
![]() |
IXYH50N120C3 | Виробник : IXYS |
![]() Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 1.2kV; 50A; 750W; TO247-3 Collector-emitter voltage: 1.2kV Gate-emitter voltage: ±20V Collector current: 50A Pulsed collector current: 240A Turn-on time: 96ns Turn-off time: 0.22µs Type of transistor: IGBT Power dissipation: 750W Gate charge: 142nC Technology: GenX3™; Planar; XPT™ Kind of package: tube Mounting: THT Case: TO247-3 |
товар відсутній |