IXYB82N120C3H1 IXYS
Виробник: IXYSCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 1.2kV; 82A; 1.04kW; PLUS264™
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 82A
Power dissipation: 1.04kW
Case: PLUS264™
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 320A
Mounting: THT
Gate charge: 215nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 119ns
Turn-off time: 295ns
на замовлення 21 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 1647.24 грн |
| 2+ | 1446.09 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IXYB82N120C3H1 IXYS
Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXYB82N120C3H1 - IGBT, 164 A, 2.75 V, 1.04 kW, 1.2 kV, TO-264AA, 3 Pin(s), tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, rohsCompliant: Y-EX, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.75V, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1.04kW, Bauform - Transistor: TO-264AA, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: XPT GenX3, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Kontinuierlicher Kollektorstrom: 164A, SVHC: Lead (17-Jan-2023).
Інші пропозиції IXYB82N120C3H1 за ціною від 1603.6 грн до 2375.78 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
IXYB82N120C3H1 | Виробник : IXYS |
Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 1.2kV; 82A; 1.04kW; PLUS264™ Type of transistor: IGBT Technology: GenX3™; Planar; XPT™ Collector-emitter voltage: 1.2kV Collector current: 82A Power dissipation: 1.04kW Case: PLUS264™ Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 320A Mounting: THT Gate charge: 215nC Kind of package: tube Turn-on time: 119ns Turn-off time: 295ns кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 21 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
IXYB82N120C3H1 | Виробник : IXYS SEMICONDUCTOR |
Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXYB82N120C3H1 - IGBT, 164 A, 2.75 V, 1.04 kW, 1.2 kV, TO-264AA, 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: Y-EX hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.75V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 1.04kW Bauform - Transistor: TO-264AA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: XPT GenX3 Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 150°C Kontinuierlicher Kollektorstrom: 164A SVHC: Lead (17-Jan-2023) |
на замовлення 19 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
IXYB82N120C3H1 | Виробник : IXYS |
IGBT Transistors XPT IGBT C3-Class 1200V/160A; Copack |
на замовлення 24 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
IXYB82N120C3H1 | Виробник : Littelfuse |
Trans IGBT Chip N-CH 1200V 164A 1040W 3-Pin(3+Tab) PLUS 264 |
товар відсутній |
|||||||||||
 |
IXYB82N120C3H1 | Виробник : IXYS |
Description: IGBT 1200V 164A 1040W PLUS264 Packaging: Tube Package / Case: TO-264-3, TO-264AA Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 420 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.2V @ 15V, 82A Supplier Device Package: PLUS264™ Td (on/off) @ 25°C: 29ns/192ns Switching Energy: 4.95mJ (on), 2.78mJ (off) Test Condition: 600V, 80A, 2Ohm, 15V Gate Charge: 215 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 164 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V Current - Collector Pulsed (Icm): 320 A Power - Max: 1040 W |
товар відсутній |