![IXXK200N65B4 IXXK200N65B4](https://www.mouser.com/images/mouserelectronics/lrg/TO_264_DSL.jpg)
на замовлення 204 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 2713.09 грн |
10+ | 2376.11 грн |
25+ | 1927.84 грн |
50+ | 1868.05 грн |
100+ | 1861.79 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IXXK200N65B4 IXYS
Description: IGBT 650V 370A 1150W TO264, Packaging: Tube, Package / Case: TO-264-3, TO-264AA, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Input Type: Standard, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.7V @ 15V, 160A, Supplier Device Package: TO-264 (IXXK), IGBT Type: PT, Td (on/off) @ 25°C: 62ns/245ns, Switching Energy: 4.4mJ (on), 2.2mJ (off), Test Condition: 400V, 100A, 1Ohm, 15V, Gate Charge: 553 nC, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 370 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 1000 A, Power - Max: 1150 W.
Інші пропозиції IXXK200N65B4
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
---|---|---|---|---|---|
![]() |
IXXK200N65B4 | Виробник : Littelfuse |
![]() |
товар відсутній |
|
![]() |
IXXK200N65B4 | Виробник : IXYS |
![]() Description: Transistor: IGBT; GenX4™; 650V; 200A; 1.63kW; TO264 Mounting: THT Kind of package: tube Technology: GenX4™; Trench; XPT™ Case: TO264 Collector-emitter voltage: 650V Gate-emitter voltage: ±20V Collector current: 200A Pulsed collector current: 1kA Turn-on time: 135ns Turn-off time: 370ns Type of transistor: IGBT Power dissipation: 1.63kW Gate charge: 517nC кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
|
![]() |
IXXK200N65B4 | Виробник : IXYS |
![]() Packaging: Tube Package / Case: TO-264-3, TO-264AA Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.7V @ 15V, 160A Supplier Device Package: TO-264 (IXXK) IGBT Type: PT Td (on/off) @ 25°C: 62ns/245ns Switching Energy: 4.4mJ (on), 2.2mJ (off) Test Condition: 400V, 100A, 1Ohm, 15V Gate Charge: 553 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 370 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V Current - Collector Pulsed (Icm): 1000 A Power - Max: 1150 W |
товар відсутній |
|
![]() |
IXXK200N65B4 | Виробник : IXYS |
![]() Description: Transistor: IGBT; GenX4™; 650V; 200A; 1.63kW; TO264 Mounting: THT Kind of package: tube Technology: GenX4™; Trench; XPT™ Case: TO264 Collector-emitter voltage: 650V Gate-emitter voltage: ±20V Collector current: 200A Pulsed collector current: 1kA Turn-on time: 135ns Turn-off time: 370ns Type of transistor: IGBT Power dissipation: 1.63kW Gate charge: 517nC |
товар відсутній |