![IXXH80N65B4 IXXH80N65B4](https://www.mouser.com/images/ixys/lrg/to247ad.jpg)
на замовлення 997 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 566.14 грн |
10+ | 482.1 грн |
30+ | 380.28 грн |
120+ | 348.3 грн |
270+ | 345.52 грн |
510+ | 312.85 грн |
1020+ | 276 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IXXH80N65B4 IXYS
Description: IGBT 650V 160A 625W TO247AD, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Input Type: Standard, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 80A, Supplier Device Package: TO-247AD (IXXH), IGBT Type: PT, Td (on/off) @ 25°C: 38ns/120ns, Switching Energy: 3.77mJ (on), 1.2mJ (off), Test Condition: 400V, 80A, 3Ohm, 15V, Gate Charge: 120 nC, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 160 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 430 A, Power - Max: 625 W.
Інші пропозиції IXXH80N65B4 за ціною від 245.63 грн до 617.42 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
IXXH80N65B4 | Виробник : IXYS |
![]() Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 80A Supplier Device Package: TO-247AD (IXXH) IGBT Type: PT Td (on/off) @ 25°C: 38ns/120ns Switching Energy: 3.77mJ (on), 1.2mJ (off) Test Condition: 400V, 80A, 3Ohm, 15V Gate Charge: 120 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 160 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V Current - Collector Pulsed (Icm): 430 A Power - Max: 625 W |
на замовлення 5517 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
![]() |
IXXH80N65B4 | Виробник : Littelfuse |
![]() |
товар відсутній |
|||||||||||
![]() |
IXXH80N65B4 | Виробник : IXYS |
![]() Description: Transistor: IGBT; GenX4™; 650V; 80A; 625W; TO247-3 Type of transistor: IGBT Technology: GenX4™; Trench; XPT™ Collector-emitter voltage: 650V Collector current: 80A Power dissipation: 625W Case: TO247-3 Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 430A Mounting: THT Gate charge: 0.12µC Kind of package: tube Turn-on time: 125ns Turn-off time: 222ns кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
|||||||||||
IXXH80N65B4 | Виробник : Littelfuse |
![]() |
товар відсутній |
||||||||||||
![]() |
IXXH80N65B4 | Виробник : IXYS |
![]() Description: Transistor: IGBT; GenX4™; 650V; 80A; 625W; TO247-3 Type of transistor: IGBT Technology: GenX4™; Trench; XPT™ Collector-emitter voltage: 650V Collector current: 80A Power dissipation: 625W Case: TO247-3 Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 430A Mounting: THT Gate charge: 0.12µC Kind of package: tube Turn-on time: 125ns Turn-off time: 222ns |
товар відсутній |