IXXH60N65B4H1 IXYS
Виробник: IXYSDescription: IGBT 650V 116A 380W TO247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 150 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 60A
Supplier Device Package: TO-247AD (IXXH)
IGBT Type: PT
Td (on/off) @ 25°C: 37ns/145ns
Switching Energy: 3.13mJ (on), 1.15mJ (off)
Test Condition: 400V, 60A, 5Ohm, 15V
Gate Charge: 95 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 116 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 230 A
Power - Max: 380 W
на замовлення 77 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 796.84 грн |
| 30+ | 612.61 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IXXH60N65B4H1 IXYS
Description: IGBT 650V 116A 380W TO247AD, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Input Type: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 150 ns, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 60A, Supplier Device Package: TO-247AD (IXXH), IGBT Type: PT, Td (on/off) @ 25°C: 37ns/145ns, Switching Energy: 3.13mJ (on), 1.15mJ (off), Test Condition: 400V, 60A, 5Ohm, 15V, Gate Charge: 95 nC, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 116 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 230 A, Power - Max: 380 W.
Інші пропозиції IXXH60N65B4H1 за ціною від 586.8 грн до 1077.94 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IXXH60N65B4H1 | Виробник : IXYS |
IGBTs 650V/106A TRENCH IGBT GENX4 XPT |
на замовлення 1 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||
 |
IXXH60N65B4H1 | Виробник : IXYS |
Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; GenX4™; 650V; 60A; 536W; TO247-3 Type of transistor: IGBT Technology: GenX4™; Trench; XPT™ Collector-emitter voltage: 650V Collector current: 60A Power dissipation: 536W Case: TO247-3 Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 265A Mounting: THT Gate charge: 86nC Kind of package: tube Turn-on time: 94ns Turn-off time: 208ns |
на замовлення 5 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||
|
|
IXXH60N65B4H1 | Виробник : IXYS |
Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; GenX4™; 650V; 60A; 536W; TO247-3 Type of transistor: IGBT Technology: GenX4™; Trench; XPT™ Collector-emitter voltage: 650V Collector current: 60A Power dissipation: 536W Case: TO247-3 Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 265A Mounting: THT Gate charge: 86nC Kind of package: tube Turn-on time: 94ns Turn-off time: 208ns кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 5 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||
 |
IXXH60N65B4H1 | Виробник : Littelfuse |
Trans IGBT Chip N-CH 650V 116A 455000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247AD |
товар відсутній |