![IXXH40N65B4 IXXH40N65B4](https://mm.digikey.com/Volume0/opasdata/d220001/medias/images/202/TO-247-AD-EP-%28H%29.jpg)
IXXH40N65B4 IXYS
![littelfuse_discrete_igbts_xpt_ixxh40n65b4_datasheet.pdf.pdf](/images/adobe-acrobat.png)
Description: IGBT 650V 120A 455W TO247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.8V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: TO-247AD (IXXH)
IGBT Type: PT
Td (on/off) @ 25°C: 28ns/144ns
Switching Energy: 1.4mJ (on), 560µJ (off)
Test Condition: 400V, 40A, 5Ohm, 15V
Gate Charge: 77 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 120 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 240 A
Power - Max: 455 W
на замовлення 750 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
300+ | 295.68 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IXXH40N65B4 IXYS
Description: IGBT 650V 120A 455W TO247AD, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Input Type: Standard, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.8V @ 15V, 40A, Supplier Device Package: TO-247AD (IXXH), IGBT Type: PT, Td (on/off) @ 25°C: 28ns/144ns, Switching Energy: 1.4mJ (on), 560µJ (off), Test Condition: 400V, 40A, 5Ohm, 15V, Gate Charge: 77 nC, Current - Collector (Ic) (Max): 120 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 240 A, Power - Max: 455 W.
Інші пропозиції IXXH40N65B4 за ціною від 221.77 грн до 495.57 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
IXXH40N65B4 | Виробник : IXYS |
![]() Description: Transistor: IGBT; GenX4™; 650V; 40A; 455W; TO247-3 Type of transistor: IGBT Technology: GenX4™; Trench; XPT™ Collector-emitter voltage: 650V Collector current: 40A Power dissipation: 455W Case: TO247-3 Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 225A Mounting: THT Gate charge: 66nC Kind of package: tube Turn-on time: 67ns Turn-off time: 252ns |
на замовлення 142 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IXXH40N65B4 | Виробник : IXYS |
![]() Description: Transistor: IGBT; GenX4™; 650V; 40A; 455W; TO247-3 Type of transistor: IGBT Technology: GenX4™; Trench; XPT™ Collector-emitter voltage: 650V Collector current: 40A Power dissipation: 455W Case: TO247-3 Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 225A Mounting: THT Gate charge: 66nC Kind of package: tube Turn-on time: 67ns Turn-off time: 252ns кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 142 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IXXH40N65B4 | Виробник : IXYS |
![]() |
на замовлення 298 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|