IXXH30N65C4D1 IXYS
Виробник: IXYSCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX4™; 650V; 30A; 230W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX4™; Trench; XPT™
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 30A
Power dissipation: 230W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 136A
Mounting: THT
Gate charge: 47nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 65ns
Turn-off time: 161ns
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IXXH30N65C4D1 IXYS
Category: THT IGBT transistors, Description: Transistor: IGBT; GenX4™; 650V; 30A; 230W; TO247-3, Type of transistor: IGBT, Technology: GenX4™; Trench; XPT™, Collector-emitter voltage: 650V, Collector current: 30A, Power dissipation: 230W, Case: TO247-3, Gate-emitter voltage: ±20V, Pulsed collector current: 136A, Mounting: THT, Gate charge: 47nC, Kind of package: tube, Turn-on time: 65ns, Turn-off time: 161ns, кількість в упаковці: 1 шт.
Інші пропозиції IXXH30N65C4D1
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
IXXH30N65C4D1 | Виробник : IXYS |
IGBT Transistors Disc IGBT XPT-GenX4 TO-247AD |
товар відсутній |
|
|
|
IXXH30N65C4D1 | Виробник : IXYS |
Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; GenX4™; 650V; 30A; 230W; TO247-3 Type of transistor: IGBT Technology: GenX4™; Trench; XPT™ Collector-emitter voltage: 650V Collector current: 30A Power dissipation: 230W Case: TO247-3 Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 136A Mounting: THT Gate charge: 47nC Kind of package: tube Turn-on time: 65ns Turn-off time: 161ns |
товар відсутній |