![IXXH30N65B4 IXXH30N65B4](https://mm.digikey.com/Volume0/opasdata/d220001/medias/images/202/TO-247-AD-EP-%28H%29.jpg)
IXXH30N65B4 IXYS
![littelfuse_discrete_igbts_xpt_ixxh30n65b4_datasheet.pdf.pdf](/images/adobe-acrobat.png)
Description: IGBT PT 650V 65A TO247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: TO-247AD (IXXH)
IGBT Type: PT
Td (on/off) @ 25°C: 32ns/170ns
Switching Energy: 1.55mJ (on), 480µJ (off)
Test Condition: 400V, 30A, 15Ohm, 15V
Gate Charge: 52 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 65 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 146 A
Power - Max: 230 W
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 312.1 грн |
30+ | 237.73 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IXXH30N65B4 IXYS
Description: IGBT PT 650V 65A TO247AD, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Input Type: Standard, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 30A, Supplier Device Package: TO-247AD (IXXH), IGBT Type: PT, Td (on/off) @ 25°C: 32ns/170ns, Switching Energy: 1.55mJ (on), 480µJ (off), Test Condition: 400V, 30A, 15Ohm, 15V, Gate Charge: 52 nC, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 65 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 146 A, Power - Max: 230 W.
Інші пропозиції IXXH30N65B4 за ціною від 202.8 грн до 339.05 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
IXXH30N65B4 | Виробник : IXYS |
![]() |
на замовлення 349 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||
![]() |
IXXH30N65B4 | Виробник : Littelfuse |
![]() |
товар відсутній |
|||||||||||
![]() |
IXXH30N65B4 | Виробник : IXYS |
![]() Description: Transistor: IGBT; GenX4™; 650V; 30A; 230W; TO247-3 Type of transistor: IGBT Technology: GenX4™; Trench; XPT™ Collector-emitter voltage: 650V Collector current: 30A Power dissipation: 230W Case: TO247-3 Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 146A Mounting: THT Gate charge: 52nC Kind of package: tube Turn-on time: 65ns Turn-off time: 206ns кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
|||||||||||
![]() |
IXXH30N65B4 | Виробник : IXYS |
![]() Description: Transistor: IGBT; GenX4™; 650V; 30A; 230W; TO247-3 Type of transistor: IGBT Technology: GenX4™; Trench; XPT™ Collector-emitter voltage: 650V Collector current: 30A Power dissipation: 230W Case: TO247-3 Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 146A Mounting: THT Gate charge: 52nC Kind of package: tube Turn-on time: 65ns Turn-off time: 206ns |
товар відсутній |