![IXXH100N60B3 IXXH100N60B3](https://www.mouser.com/images/ixys/lrg/inhouse_ixxh100n60b3_t.jpg)
на замовлення 260 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 805.75 грн |
10+ | 752.56 грн |
30+ | 597.25 грн |
60+ | 578.44 грн |
120+ | 558.23 грн |
270+ | 556.14 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IXXH100N60B3 IXYS
Description: IGBT 600V 220A 830W TO247AD, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Input Type: Standard, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.8V @ 15V, 70A, Supplier Device Package: TO-247AD (IXXH), IGBT Type: PT, Td (on/off) @ 25°C: 30ns/120ns, Switching Energy: 1.9mJ (on), 2mJ (off), Test Condition: 360V, 70A, 2Ohm, 15V, Gate Charge: 143 nC, Current - Collector (Ic) (Max): 220 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 480 A, Power - Max: 830 W.
Інші пропозиції IXXH100N60B3 за ціною від 1078.79 грн до 1078.79 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
IXXH100N60B3 | Виробник : IXYS |
![]() Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.8V @ 15V, 70A Supplier Device Package: TO-247AD (IXXH) IGBT Type: PT Td (on/off) @ 25°C: 30ns/120ns Switching Energy: 1.9mJ (on), 2mJ (off) Test Condition: 360V, 70A, 2Ohm, 15V Gate Charge: 143 nC Current - Collector (Ic) (Max): 220 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector Pulsed (Icm): 480 A Power - Max: 830 W |
на замовлення 16 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||
![]() |
IXXH100N60B3 | Виробник : Littelfuse |
![]() |
товар відсутній |
|||||
![]() |
IXXH100N60B3 | Виробник : IXYS |
![]() Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 100A; 830W; TO247-3 Mounting: THT Gate charge: 143nC Technology: GenX3™; Planar; XPT™ Case: TO247-3 Collector-emitter voltage: 600V Gate-emitter voltage: ±20V Collector current: 100A Pulsed collector current: 480A Turn-on time: 92ns Turn-off time: 350ns Type of transistor: IGBT Power dissipation: 830W Kind of package: tube кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
|||||
![]() |
IXXH100N60B3 | Виробник : IXYS |
![]() Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 100A; 830W; TO247-3 Mounting: THT Gate charge: 143nC Technology: GenX3™; Planar; XPT™ Case: TO247-3 Collector-emitter voltage: 600V Gate-emitter voltage: ±20V Collector current: 100A Pulsed collector current: 480A Turn-on time: 92ns Turn-off time: 350ns Type of transistor: IGBT Power dissipation: 830W Kind of package: tube |
товар відсутній |