![IXTY8N70X2 IXTY8N70X2](https://mm.digikey.com/Volume0/opasdata/d220001/medias/images/202/TO-252-3.jpg)
IXTY8N70X2 IXYS
![littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_ultra_junction_ixt_8n70x2_datasheet.pdf.pdf](/images/adobe-acrobat.png)
Description: MOSFET N-CHANNEL 700V 8A TO252
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500mOhm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 800 pF @ 10 V
на замовлення 1869 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 240.49 грн |
10+ | 194.34 грн |
100+ | 157.2 грн |
500+ | 131.13 грн |
1000+ | 112.28 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IXTY8N70X2 IXYS
Description: MOSFET N-CHANNEL 700V 8A TO252, Packaging: Tube, Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500mOhm @ 500mA, 10V, Power Dissipation (Max): 150W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-252AA, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 800 pF @ 10 V.
Інші пропозиції IXTY8N70X2 за ціною від 106.63 грн до 241.48 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
IXTY8N70X2 | Виробник : IXYS |
![]() |
на замовлення 340 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IXTY8N70X2 | Виробник : Littelfuse |
![]() |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
![]() |
IXTY8N70X2 | Виробник : IXYS |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 700V; 8A; 150W; TO252; 200ns Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 700V Drain current: 8A Power dissipation: 150W Case: TO252 On-state resistance: 500mΩ Mounting: SMD Gate charge: 12nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced Features of semiconductor devices: ultra junction x-class Reverse recovery time: 200ns |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
![]() |
IXTY8N70X2 | Виробник : IXYS |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 700V; 8A; 150W; TO252; 200ns Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 700V Drain current: 8A Power dissipation: 150W Case: TO252 On-state resistance: 500mΩ Mounting: SMD Gate charge: 12nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced Features of semiconductor devices: ultra junction x-class Reverse recovery time: 200ns |
товар відсутній |