IXTY4N65X2 IXYS
Виробник: IXYSCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 4A; 80W; TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: X2-Class
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 4A
Power dissipation: 80W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.85Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 8.3nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Reverse recovery time: 160ns
на замовлення 26 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 4+ | 120.4 грн |
| 5+ | 99.46 грн |
| 10+ | 92.92 грн |
| 20+ | 90.02 грн |
| 26+ | 87.84 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IXTY4N65X2 IXYS
Description: MOSFET N-CH 650V 4A TO252, Packaging: Tube, Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 850mOhm @ 2A, 10V, Power Dissipation (Max): 80W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-252AA, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.3 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 455 pF @ 25 V.
Інші пропозиції IXTY4N65X2 за ціною від 76.23 грн до 200.83 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
IXTY4N65X2 | Виробник : IXYS |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 4A; 80W; TO252 Type of transistor: N-MOSFET Technology: X2-Class Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 4A Power dissipation: 80W Case: TO252 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.85Ω Mounting: SMD Gate charge: 8.3nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced Reverse recovery time: 160ns кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 26 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
IXTY4N65X2 | Виробник : IXYS |
Description: MOSFET N-CH 650V 4A TO252 Packaging: Tube Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 850mOhm @ 2A, 10V Power Dissipation (Max): 80W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252AA Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.3 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 455 pF @ 25 V |
на замовлення 2800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
IXTY4N65X2 | Виробник : IXYS |
MOSFETs MSFT N-CH ULTRA JNCT X2 3&44 |
на замовлення 178 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
IXTY4N65X2 | Виробник : Littelfuse |
Trans MOSFET N-CH 650V 4A 3-Pin(2+Tab) DPAK |
товар відсутній |