![IXTY44N10T IXTY44N10T](https://ce8dc832c.cloudimg.io/v7/_cdn_/16/7E/00/00/0/59233_1.jpg?width=640&height=480&wat=1&wat_url=_tme-wrk_%2Ftme_new.png&wat_scale=100p&ci_sign=85a92da44426a86680dc5a939d6fe19e96293048)
IXTY44N10T IXYS
![IXTP(Y)44N10T.pdf](/images/adobe-acrobat.png)
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 44A; 130W; TO252; 60ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 44A
Power dissipation: 130W
Case: TO252
On-state resistance: 30mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Reverse recovery time: 60ns
на замовлення 350 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3+ | 138.38 грн |
5+ | 116.15 грн |
10+ | 90.74 грн |
26+ | 86.39 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IXTY44N10T IXYS
Description: MOSFET N-CH 100V 44A TO252, Packaging: Tube, Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 44A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 22A, 10V, Power Dissipation (Max): 130W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 25µA, Supplier Device Package: TO-252AA, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1262 pF @ 25 V.
Інші пропозиції IXTY44N10T за ціною від 89.2 грн до 191.07 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
IXTY44N10T | Виробник : IXYS |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 44A; 130W; TO252; 60ns Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 44A Power dissipation: 130W Case: TO252 On-state resistance: 30mΩ Mounting: SMD Kind of package: tube Kind of channel: enhanced Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet Reverse recovery time: 60ns кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 350 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IXTY44N10T | Виробник : Littelfuse Inc. |
![]() Packaging: Tube Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 44A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 22A, 10V Power Dissipation (Max): 130W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 25µA Supplier Device Package: TO-252AA Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1262 pF @ 25 V |
на замовлення 350 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IXTY44N10T | Виробник : IXYS |
![]() |
на замовлення 1644 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IXTY44N10T | Виробник : Littelfuse |
![]() |
товар відсутній |