IXTY2N100P IXYS
Виробник: IXYSCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 2A; 86W; TO252; 800ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 2A
Power dissipation: 86W
Case: TO252
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: standard power mosfet
Reverse recovery time: 800ns
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3+ | 185.29 грн |
| 5+ | 155.35 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IXTY2N100P IXYS
Description: MOSFET N-CH 1000V 2A TO252, Packaging: Tube, Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5Ohm @ 500mA, 10V, Power Dissipation (Max): 86W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 100µA, Supplier Device Package: TO-252AA, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24.3 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 655 pF @ 25 V.
Інші пропозиції IXTY2N100P за ціною від 104.54 грн до 255.3 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
IXTY2N100P | Виробник : IXYS |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 2A; 86W; TO252; 800ns Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 1kV Drain current: 2A Power dissipation: 86W Case: TO252 Mounting: SMD Kind of package: tube Kind of channel: enhanced Features of semiconductor devices: standard power mosfet Reverse recovery time: 800ns кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 5 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
IXTY2N100P | Виробник : Littelfuse Inc. |
Description: MOSFET N-CH 1000V 2A TO252 Packaging: Tube Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5Ohm @ 500mA, 10V Power Dissipation (Max): 86W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 100µA Supplier Device Package: TO-252AA Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24.3 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 655 pF @ 25 V |
на замовлення 1065 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
IXTY2N100P | Виробник : IXYS |
MOSFET 2 Amps 1000V 7.5 Rds |
на замовлення 480 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
IXTY2N100P | Виробник : Littelfuse |
Trans MOSFET N-CH 1KV 2A 3-Pin(2+Tab) DPAK |
товар відсутній |