на замовлення 2608 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 301.65 грн |
| 10+ | 250.05 грн |
| 25+ | 204.89 грн |
| 70+ | 173.53 грн |
| 280+ | 164.47 грн |
| 560+ | 151.93 грн |
| 1050+ | 135.2 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IXTY1R4N120P IXYS
Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 1.2kV; 1.4A; Idm: 3A; 86W, Type of transistor: N-MOSFET, Technology: Polar™, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: 1.2kV, Drain current: 1.4A, Pulsed drain current: 3A, Power dissipation: 86W, Case: TO252, Gate-source voltage: ±30V, On-state resistance: 13Ω, Mounting: SMD, Gate charge: 24.8nC, Kind of package: tube, Kind of channel: enhanced, Features of semiconductor devices: standard power mosfet, Reverse recovery time: 900ns, кількість в упаковці: 1 шт.
Інші пропозиції IXTY1R4N120P
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
IXTY1R4N120P | Виробник : Littelfuse |
 Trans MOSFET N-CH 1.2KV 1.4A 3-Pin(2+Tab) DPAK |
товар відсутній |
|
 |
IXTY1R4N120P | Виробник : IXYS |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 1.2kV; 1.4A; Idm: 3A; 86W Type of transistor: N-MOSFET Technology: Polar™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 1.2kV Drain current: 1.4A Pulsed drain current: 3A Power dissipation: 86W Case: TO252 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 13Ω Mounting: SMD Gate charge: 24.8nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced Features of semiconductor devices: standard power mosfet Reverse recovery time: 900ns кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
|
 |
IXTY1R4N120P | Виробник : IXYS |
Description: MOSFET N-CH 1200V 1.4A TO252 Packaging: Tube Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.4A (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 100µA Supplier Device Package: TO-252AA Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V |
товар відсутній |
|
|
|
IXTY1R4N120P | Виробник : IXYS |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 1.2kV; 1.4A; Idm: 3A; 86W Type of transistor: N-MOSFET Technology: Polar™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 1.2kV Drain current: 1.4A Pulsed drain current: 3A Power dissipation: 86W Case: TO252 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 13Ω Mounting: SMD Gate charge: 24.8nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced Features of semiconductor devices: standard power mosfet Reverse recovery time: 900ns |
товар відсутній |