Технічний опис IXTY1N100P Littelfuse
Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 1A; 50W; TO252; 750ns, Type of transistor: N-MOSFET, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: 1kV, Drain current: 1A, Power dissipation: 50W, Case: TO252, On-state resistance: 15Ω, Mounting: SMD, Kind of package: tube, Kind of channel: enhanced, Features of semiconductor devices: standard power mosfet, Reverse recovery time: 750ns, кількість в упаковці: 1 шт.
Інші пропозиції IXTY1N100P
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
---|---|---|---|---|---|
![]() |
IXTY1N100P | Виробник : IXYS |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 1A; 50W; TO252; 750ns Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 1kV Drain current: 1A Power dissipation: 50W Case: TO252 On-state resistance: 15Ω Mounting: SMD Kind of package: tube Kind of channel: enhanced Features of semiconductor devices: standard power mosfet Reverse recovery time: 750ns кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
|
![]() |
IXTY1N100P | Виробник : IXYS |
![]() |
товар відсутній |
|
![]() |
IXTY1N100P | Виробник : IXYS |
![]() |
товар відсутній |
|
![]() |
IXTY1N100P | Виробник : IXYS |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 1A; 50W; TO252; 750ns Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 1kV Drain current: 1A Power dissipation: 50W Case: TO252 On-state resistance: 15Ω Mounting: SMD Kind of package: tube Kind of channel: enhanced Features of semiconductor devices: standard power mosfet Reverse recovery time: 750ns |
товар відсутній |