IXTY08N50D2 Littelfuse Inc.
Виробник: Littelfuse Inc.Description: MOSFET N-CH 500V 800MA TO252
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 800mA (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.6Ohm @ 400mA, 0V
FET Feature: Depletion Mode
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.7 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 312 pF @ 25 V
на замовлення 14102 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 198.54 грн |
| 70+ | 153.87 грн |
| 140+ | 126.6 грн |
| 560+ | 100.53 грн |
| 1050+ | 85.3 грн |
| 2030+ | 81.03 грн |
| 5040+ | 76.71 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IXTY08N50D2 Littelfuse Inc.
Description: LITTELFUSE - IXTY08N50D2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 800 mA, 4.6 ohm, TO-252, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 500V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 800mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 60W, Bauform - Transistor: TO-252, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 0V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4.6ohm, SVHC: Boric acid (14-Jun-2023).
Інші пропозиції IXTY08N50D2 за ціною від 86.9 грн до 216.56 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IXTY08N50D2 | Виробник : LITTELFUSE |
Description: LITTELFUSE - IXTY08N50D2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 800 mA, 4.6 ohm, TO-252, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 500V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 800mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 60W Bauform - Transistor: TO-252 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 0V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4.6ohm SVHC: Boric acid (14-Jun-2023) |
на замовлення 17 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
IXTY08N50D2 | Виробник : IXYS |
MOSFETs N-CH MOSFETS 500V 800MA |
на замовлення 22725 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
IXTY08N50D2 | Виробник : Littelfuse |
Trans MOSFET N-CH 500V 0.8A 3-Pin(2+Tab) DPAK |
товар відсутній |
|||||||||||||||
 |
IXTY08N50D2 | Виробник : IXYS |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 0.8A; 60W; TO252; 11ns Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 500V Drain current: 0.8A Power dissipation: 60W Case: TO252 On-state resistance: 4.6Ω Mounting: SMD Gate charge: 312nC Kind of package: tube Kind of channel: depleted Reverse recovery time: 11ns кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
|||||||||||||||
|
|
IXTY08N50D2 | Виробник : IXYS |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 0.8A; 60W; TO252; 11ns Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 500V Drain current: 0.8A Power dissipation: 60W Case: TO252 On-state resistance: 4.6Ω Mounting: SMD Gate charge: 312nC Kind of package: tube Kind of channel: depleted Reverse recovery time: 11ns |
товар відсутній |