IXTY08N50D2-TRL Littelfuse Inc.
Виробник: Littelfuse Inc.Description: MOSFET N-CH 500V 800MA TO252AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 800mA (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.6Ohm @ 400mA, 0V
FET Feature: Depletion Mode
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 25µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.7 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 312 pF @ 25 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2500+ | 91.11 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IXTY08N50D2-TRL Littelfuse Inc.
Description: MOSFET N-CH 500V 800MA TO252AA, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 800mA (Tj), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.6Ohm @ 400mA, 0V, FET Feature: Depletion Mode, Power Dissipation (Max): 60W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 25µA, Supplier Device Package: TO-252AA, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.7 nC @ 5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 312 pF @ 25 V.
Інші пропозиції IXTY08N50D2-TRL за ціною від 86.67 грн до 216.28 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
IXTY08N50D2-TRL | Виробник : Littelfuse Inc. |
Description: MOSFET N-CH 500V 800MA TO252AA Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 800mA (Tj) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.6Ohm @ 400mA, 0V FET Feature: Depletion Mode Power Dissipation (Max): 60W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 25µA Supplier Device Package: TO-252AA Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.7 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 312 pF @ 25 V |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IXTY08N50D2-TRL | Виробник : IXYS |
MOSFET Modules DISCRETE SEMICONDUCTOR MODULES |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 462-471 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IXTY08N50D2-TRL | Виробник : Littelfuse |
Trans MOSFET N-CH 500V 0.8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
товар відсутній |