Продукція > LITTELFUSE > IXTY08N100D2-TRL

IXTY08N100D2-TRL Littelfuse


media.pdf Виробник: Littelfuse
Trans MOSFET N-CH 1KV 0.8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товар відсутній

Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IXTY08N100D2-TRL Littelfuse

Description: MOSFET N-CH 1000V 800MA TO252, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 800mA (Tj), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21Ohm @ 400mA, 0V, FET Feature: Depletion Mode, Power Dissipation (Max): 60W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 25µA, Supplier Device Package: TO-252AA, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.6 nC @ 5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 325 pF @ 25 V.

Інші пропозиції IXTY08N100D2-TRL

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
IXTY08N100D2-TRL Виробник : IXYS Description: MOSFET N-CH 1000V 800MA TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 800mA (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21Ohm @ 400mA, 0V
FET Feature: Depletion Mode
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 25µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.6 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 325 pF @ 25 V
товар відсутній
IXTY08N100D2-TRL IXTY08N100D2-TRL Виробник : IXYS Littelfuse_Discrete_MOSFETs_N_Channel_Depletion_Mo-1622650.pdf Discrete Semiconductor Modules IXTY08N100D2 TRL
товар відсутній