IXTX90P20P Littelfuse Inc.
Виробник: Littelfuse Inc.Description: MOSFET P-CH 200V 90A PLUS247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3 Variant
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 44mOhm @ 22A, 10V
Power Dissipation (Max): 890W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: PLUS247™-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 205 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12000 pF @ 25 V
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 1411.58 грн |
| 30+ | 1126.95 грн |
| 120+ | 1056.52 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IXTX90P20P Littelfuse Inc.
Description: MOSFET P-CH 200V 90A PLUS247-3, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3 Variant, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 44mOhm @ 22A, 10V, Power Dissipation (Max): 890W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA, Supplier Device Package: PLUS247™-3, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 205 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12000 pF @ 25 V.
Інші пропозиції IXTX90P20P за ціною від 880.84 грн до 1504.57 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IXTX90P20P | Виробник : IXYS |
MOSFETs -90.0 Amps -200V 0.044 Rds |
на замовлення 4473 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IXTX90P20P | Виробник : Littelfuse |
Trans MOSFET P-CH 200V 90A 3-Pin(3+Tab) PLUS 247 |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
 |
IXTX90P20P | Виробник : IXYS |
Category: THT P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; PolarP™; unipolar; -200V; -90A; 890W; 315ns Kind of package: tube Case: PLUS247™ Gate charge: 205nC Technology: PolarP™ Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Reverse recovery time: 315ns Mounting: THT Drain-source voltage: -200V Drain current: -90A On-state resistance: 44mΩ Type of transistor: P-MOSFET Power dissipation: 890W Polarisation: unipolar кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
|
|
IXTX90P20P | Виробник : IXYS |
Category: THT P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; PolarP™; unipolar; -200V; -90A; 890W; 315ns Kind of package: tube Case: PLUS247™ Gate charge: 205nC Technology: PolarP™ Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Reverse recovery time: 315ns Mounting: THT Drain-source voltage: -200V Drain current: -90A On-state resistance: 44mΩ Type of transistor: P-MOSFET Power dissipation: 890W Polarisation: unipolar |
товар відсутній |