![IXTX3N250L IXTX3N250L](https://ce8dc832c.cloudimg.io/v7/_cdn_/DD/F3/00/00/1/16349_1.jpg?width=640&height=480&wat=1&wat_url=_tme-wrk_%2Ftme_new.png&wat_scale=100p&ci_sign=3080b8222548e4f64408e4add7620d593a01abbe)
IXTX3N250L IXYS
![IXTK(X)3N250L.pdf](/images/adobe-acrobat.png)
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 2.5kV; 3A; 417W; PLUS247™; 370ns
Case: PLUS247™
Mounting: THT
Kind of package: tube
Drain-source voltage: 2.5kV
Type of transistor: N-MOSFET
On-state resistance: 10Ω
Reverse recovery time: 370ns
Power dissipation: 417W
Gate charge: 230nC
Polarisation: unipolar
Features of semiconductor devices: linear power mosfet
Drain current: 3A
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IXTX3N250L IXYS
Category: THT N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 2.5kV; 3A; 417W; PLUS247™; 370ns, Case: PLUS247™, Mounting: THT, Kind of package: tube, Drain-source voltage: 2.5kV, Type of transistor: N-MOSFET, On-state resistance: 10Ω, Reverse recovery time: 370ns, Power dissipation: 417W, Gate charge: 230nC, Polarisation: unipolar, Features of semiconductor devices: linear power mosfet, Drain current: 3A, Kind of channel: enhanced, кількість в упаковці: 1 шт.
Інші пропозиції IXTX3N250L
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
---|---|---|---|---|---|
IXTX3N250L | Виробник : IXYS | MOSFET MOSFET DISCRETE TO-247P |
товар відсутній |
||
![]() |
IXTX3N250L | Виробник : IXYS |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 2.5kV; 3A; 417W; PLUS247™; 370ns Case: PLUS247™ Mounting: THT Kind of package: tube Drain-source voltage: 2.5kV Type of transistor: N-MOSFET On-state resistance: 10Ω Reverse recovery time: 370ns Power dissipation: 417W Gate charge: 230nC Polarisation: unipolar Features of semiconductor devices: linear power mosfet Drain current: 3A Kind of channel: enhanced |
товар відсутній |