Продукція > IXYS > IXTX240N075L2
IXTX240N075L2

IXTX240N075L2 IXYS

media-3321344.pdf Виробник: IXYS
MOSFET Disc Mosfet N-CH Linear L2 TO-247AD
на замовлення 241 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+2738.8 грн
10+ 2398.72 грн
30+ 1946.17 грн
60+ 1884.81 грн
120+ 1824.14 грн
270+ 1750.08 грн
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IXTX240N075L2 IXYS

Category: THT N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 240A; 960W; PLUS247™; 206ns, Mounting: THT, Case: PLUS247™, Kind of package: tube, Features of semiconductor devices: linear power mosfet, Gate charge: 546nC, Kind of channel: enhanced, Reverse recovery time: 206ns, Drain-source voltage: 75V, Drain current: 240A, On-state resistance: 7mΩ, Type of transistor: N-MOSFET, Power dissipation: 960W, Polarisation: unipolar, кількість в упаковці: 1 шт.

Інші пропозиції IXTX240N075L2 за ціною від 2127.69 грн до 2804.95 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
IXTX240N075L2 IXTX240N075L2 Виробник : IXYS littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_linear_ixt_240n075_datasheet.pdf.pdf Description: MOSFET N-CH 75V 240A PLUS247-3
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+2804.95 грн
10+ 2491.65 грн
100+ 2127.69 грн
IXTX240N075L2 IXTX240N075L2 Виробник : IXYS IXTK(X)240N075L2.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 240A; 960W; PLUS247™; 206ns
Mounting: THT
Case: PLUS247™
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: linear power mosfet
Gate charge: 546nC
Kind of channel: enhanced
Reverse recovery time: 206ns
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 240A
On-state resistance: 7mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 960W
Polarisation: unipolar
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IXTX240N075L2 IXTX240N075L2 Виробник : IXYS IXTK(X)240N075L2.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 240A; 960W; PLUS247™; 206ns
Mounting: THT
Case: PLUS247™
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: linear power mosfet
Gate charge: 546nC
Kind of channel: enhanced
Reverse recovery time: 206ns
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 240A
On-state resistance: 7mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 960W
Polarisation: unipolar
товар відсутній