IXTX170P10P IXYS
Виробник: IXYSCategory: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchP™; unipolar; -100V; -170A; 890W; 176ns
Kind of package: tube
Gate charge: 240nC
Technology: TrenchP™
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: THT
Case: PLUS247™
Reverse recovery time: 176ns
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -170A
On-state resistance: 14mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 890W
Polarisation: unipolar
на замовлення 48 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 1146.11 грн |
| 3+ | 1006.17 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IXTX170P10P IXYS
Description: MOSFET P-CH 100V 170A PLUS247-3, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3 Variant, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 500mA, 10V, Power Dissipation (Max): 890W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA, Supplier Device Package: PLUS247™-3, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 240 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12600 pF @ 25 V.
Інші пропозиції IXTX170P10P за ціною від 964.53 грн до 1542.38 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
IXTX170P10P | Виробник : IXYS |
Category: THT P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchP™; unipolar; -100V; -170A; 890W; 176ns Kind of package: tube Gate charge: 240nC Technology: TrenchP™ Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Mounting: THT Case: PLUS247™ Reverse recovery time: 176ns Drain-source voltage: -100V Drain current: -170A On-state resistance: 14mΩ Type of transistor: P-MOSFET Power dissipation: 890W Polarisation: unipolar кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 48 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
.jpg "IXTX170P10P") |
IXTX170P10P | Виробник : IXYS |
Description: MOSFET P-CH 100V 170A PLUS247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Variant Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 500mA, 10V Power Dissipation (Max): 890W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA Supplier Device Package: PLUS247™-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 240 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12600 pF @ 25 V |
на замовлення 89 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
IXTX170P10P | Виробник : IXYS |
MOSFET -170.0 Amps -100V 0.012 Rds |
на замовлення 18 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
IXTX170P10P | Виробник : Littelfuse |
Trans MOSFET P-CH 100V 170A 3-Pin(3+Tab) PLUS 247 |
товар відсутній |