Продукція > IXYS > IXTX120P20T
IXTX120P20T

IXTX120P20T IXYS

IXT_120P20T.pdf Виробник: IXYS
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchP™; unipolar; -200V; -120A; 1040W
Mounting: THT
Drain current: -120A
On-state resistance: 30mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 1.04kW
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 740nC
Technology: TrenchP™
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±15V
Case: PLUS247™
Reverse recovery time: 300ns
Drain-source voltage: -200V
на замовлення 28 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+1760.6 грн
2+ 1546.28 грн
3+ 1545.55 грн
10+ 1544.82 грн
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IXTX120P20T IXYS

Category: THT P channel transistors, Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchP™; unipolar; -200V; -120A; 1040W, Mounting: THT, Drain current: -120A, On-state resistance: 30mΩ, Type of transistor: P-MOSFET, Power dissipation: 1.04kW, Polarisation: unipolar, Kind of package: tube, Gate charge: 740nC, Technology: TrenchP™, Kind of channel: enhanced, Gate-source voltage: ±15V, Case: PLUS247™, Reverse recovery time: 300ns, Drain-source voltage: -200V, кількість в упаковці: 1 шт.

Інші пропозиції IXTX120P20T за ціною від 1397.31 грн до 2274.96 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
IXTX120P20T IXTX120P20T Виробник : IXYS IXT_120P20T.pdf Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchP™; unipolar; -200V; -120A; 1040W
Mounting: THT
Drain current: -120A
On-state resistance: 30mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 1.04kW
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 740nC
Technology: TrenchP™
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±15V
Case: PLUS247™
Reverse recovery time: 300ns
Drain-source voltage: -200V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 28 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+2112.72 грн
2+ 1926.9 грн
3+ 1854.66 грн
10+ 1853.79 грн
30+ 1784.1 грн
IXTX120P20T IXTX120P20T Виробник : Littelfuse Inc. media?resourcetype=datasheets&itemid=67b5be5e-bc83-47b6-b9a2-f0699eb6249e&filename=littelfuse_discrete_mosfets_p-channel_ixt_120p20t_datasheet.pdf Description: MOSFET P-CH 200V 120A PLUS247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3 Variant
Mounting Type: Through Hole
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 60A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PLUS247™-3
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 740 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 73000 pF @ 25 V
на замовлення 179 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+2116.12 грн
30+ 1689.05 грн
120+ 1583.49 грн
IXTX120P20T IXTX120P20T Виробник : IXYS media-3320951.pdf MOSFETs TrenchP Power MOSFETs
на замовлення 169 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+2274.96 грн
10+ 2083.77 грн
30+ 1616.84 грн
60+ 1570.15 грн
120+ 1515.09 грн
270+ 1441.22 грн
510+ 1397.31 грн
IXTX120P20T IXTX120P20T Виробник : Littelfuse use_discrete_mosfets_p-channel_ixt_120p20t_datasheet.pdf.pdf Trans MOSFET P-CH 200V 120A 3-Pin(3+Tab) PLUS 247
товар відсутній