Продукція > IXYS > IXTU8N70X2
IXTU8N70X2

IXTU8N70X2 IXYS

littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_ultra_junction_ixt_8n70x2_datasheet.pdf.pdf Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 700V; 8A; Idm: 16A; 150W; IPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 700V
Drain current: 8A
Pulsed drain current: 16A
Power dissipation: 150W
Case: IPAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.5Ω
Mounting: THT
Gate charge: 12nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
на замовлення 66 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+210.57 грн
5+ 175.25 грн
7+ 139.77 грн
17+ 131.8 грн
Мінімальне замовлення: 2
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IXTU8N70X2 IXYS

Description: MOSFET N-CH 700V 8A TO251-3, Packaging: Tube, Package / Case: TO-251-3 Stub Leads, IPak, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500mOhm @ 500mA, 10V, Power Dissipation (Max): 150W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-251-3, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 800 pF @ 10 V.

Інші пропозиції IXTU8N70X2 за ціною від 158.16 грн до 300.06 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
IXTU8N70X2 IXTU8N70X2 Виробник : IXYS littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_ultra_junction_ixt_8n70x2_datasheet.pdf.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 700V; 8A; Idm: 16A; 150W; IPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 700V
Drain current: 8A
Pulsed drain current: 16A
Power dissipation: 150W
Case: IPAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.5Ω
Mounting: THT
Gate charge: 12nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 66 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+252.68 грн
5+ 218.39 грн
7+ 167.72 грн
17+ 158.16 грн
Мінімальне замовлення: 2
IXTU8N70X2 IXTU8N70X2 Виробник : IXYS littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_ultra_junction_ixt_8n70x2_datasheet.pdf.pdf Description: MOSFET N-CH 700V 8A TO251-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Stub Leads, IPak
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500mOhm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-251-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 800 pF @ 10 V
на замовлення 65 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+300.06 грн
10+ 242.31 грн
Мінімальне замовлення: 2
IXTU8N70X2 IXTU8N70X2 Виробник : IXYS ixys_s_a0005444840_1-2272752.pdf MOSFET 700V/8A Ultra Junct X2-Class MOSFET
товар відсутній