![IXTT6N120 IXTT6N120](https://mm.digikey.com/Volume0/opasdata/d220001/medias/images/202/TO-268.jpg)
IXTT6N120 Littelfuse Inc.
![littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_standard_ixt_6n120_datasheet.pdf.pdf](/images/adobe-acrobat.png)
Description: MOSFET N-CH 1200V 6A TO268
Packaging: Tube
Package / Case: TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.6Ohm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-268AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1950 pF @ 25 V
на замовлення 542 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 586.59 грн |
30+ | 473.38 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IXTT6N120 Littelfuse Inc.
Description: MOSFET N-CH 1200V 6A TO268, Packaging: Tube, Package / Case: TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.6Ohm @ 3A, 10V, Power Dissipation (Max): 300W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-268AA, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1950 pF @ 25 V.
Інші пропозиції IXTT6N120 за ціною від 631.84 грн до 631.84 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
IXTT6N120 | Виробник : IXYS |
![]() |
на замовлення 132 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||
![]() |
IXTT6N120 | Виробник : Littelfuse |
![]() |
товар відсутній |
|||||
![]() |
IXTT6N120 | Виробник : Littelfuse |
![]() |
товар відсутній |
|||||
![]() |
IXTT6N120 | Виробник : IXYS |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1.2kV; 6A; 300W; TO268; 850ns Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 1.2kV Drain current: 6A Power dissipation: 300W Case: TO268 Mounting: SMD Gate charge: 56nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced Features of semiconductor devices: standard power mosfet Reverse recovery time: 850ns кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
|||||
![]() |
IXTT6N120 | Виробник : IXYS |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1.2kV; 6A; 300W; TO268; 850ns Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 1.2kV Drain current: 6A Power dissipation: 300W Case: TO268 Mounting: SMD Gate charge: 56nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced Features of semiconductor devices: standard power mosfet Reverse recovery time: 850ns |
товар відсутній |