IXTT50P10 IXYS
Виробник: IXYS
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -50A; 300W; TO268; 180ns
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -50A
On-state resistance: 55mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 300W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 0.14µC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Case: TO268
Reverse recovery time: 180ns
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -50A; 300W; TO268; 180ns
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -50A
On-state resistance: 55mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 300W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 0.14µC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Case: TO268
Reverse recovery time: 180ns
на замовлення 17 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 704.88 грн |
2+ | 525.68 грн |
5+ | 497.12 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IXTT50P10 IXYS
Category: SMD P channel transistors, Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -50A; 300W; TO268; 180ns, Drain-source voltage: -100V, Drain current: -50A, On-state resistance: 55mΩ, Type of transistor: P-MOSFET, Power dissipation: 300W, Polarisation: unipolar, Kind of package: tube, Gate charge: 0.14µC, Kind of channel: enhanced, Gate-source voltage: ±20V, Mounting: SMD, Case: TO268, Reverse recovery time: 180ns, кількість в упаковці: 1 шт.
Інші пропозиції IXTT50P10 за ціною від 581.61 грн до 845.86 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
IXTT50P10 | Виробник : IXYS |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -50A; 300W; TO268; 180ns Drain-source voltage: -100V Drain current: -50A On-state resistance: 55mΩ Type of transistor: P-MOSFET Power dissipation: 300W Polarisation: unipolar Kind of package: tube Gate charge: 0.14µC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Mounting: SMD Case: TO268 Reverse recovery time: 180ns кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 17 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||
IXTT50P10 | Виробник : Littelfuse | Trans MOSFET P-CH Si 100V 50A 3-Pin(2+Tab) TO-268 |
товар відсутній |
||||||||||||
IXTT50P10 | Виробник : IXYS | Description: MOSFET P-CH 100V 50A TO-268 |
товар відсутній |
||||||||||||
IXTT50P10 | Виробник : IXYS | MOSFET -50 Amps -100V 0.055 Rds |
товар відсутній |