![IXTT36N50P IXTT36N50P](https://mm.digikey.com/Volume0/opasdata/d220001/medias/images/202/TO-268.jpg)
IXTT36N50P Littelfuse Inc.
![littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_standard_ixt_36n50p_datasheet.pdf.pdf](/images/adobe-acrobat.png)
Description: MOSFET N-CH 500V 36A TO268
Packaging: Tube
Package / Case: TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 170mOhm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 540W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-268AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 85 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5500 pF @ 25 V
на замовлення 114 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 800.61 грн |
30+ | 623.66 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IXTT36N50P Littelfuse Inc.
Description: MOSFET N-CH 500V 36A TO268, Packaging: Tube, Package / Case: TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 170mOhm @ 500mA, 10V, Power Dissipation (Max): 540W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-268AA, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 85 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5500 pF @ 25 V.
Інші пропозиції IXTT36N50P за ціною від 489.93 грн до 851.17 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
IXTT36N50P | Виробник : IXYS |
![]() |
на замовлення 300 шт: термін постачання 224-233 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IXTT36N50P | Виробник : Littelfuse |
![]() |
на замовлення 6 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IXTT36N50P | Виробник : Littelfuse |
![]() |
на замовлення 6 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||
![]() |
IXTT36N50P | Виробник : Littelfuse |
![]() |
товар відсутній |
|||||||||||||||
![]() |
IXTT36N50P | Виробник : IXYS |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 36A; 540W; TO268; 400ns Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 500V Drain current: 36A Power dissipation: 540W Case: TO268 On-state resistance: 0.17Ω Mounting: SMD Gate charge: 82nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced Features of semiconductor devices: standard power mosfet Reverse recovery time: 400ns кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
|||||||||||||||
![]() |
IXTT36N50P | Виробник : IXYS |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 36A; 540W; TO268; 400ns Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 500V Drain current: 36A Power dissipation: 540W Case: TO268 On-state resistance: 0.17Ω Mounting: SMD Gate charge: 82nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced Features of semiconductor devices: standard power mosfet Reverse recovery time: 400ns |
товар відсутній |