IXTT30N50L2 Littelfuse Inc.
![media?resourcetype=datasheets&itemid=f5fb9430-aced-4489-8ada-7fcaf01e3235&filename=littelfuse-discrete-mosfets-n-channel-linear-ixt-30n50-datasheet](/images/adobe-acrobat.png)
Description: MOSFET N-CH 500V 30A TO268
Packaging: Tube
Package / Case: TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 400W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-268AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 240 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8100 pF @ 25 V
на замовлення 285 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 1232.58 грн |
30+ | 960.48 грн |
120+ | 903.98 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IXTT30N50L2 Littelfuse Inc.
Description: MOSFET N-CH 500V 30A TO268, Packaging: Tube, Package / Case: TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 15A, 10V, Power Dissipation (Max): 400W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-268AA, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 240 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8100 pF @ 25 V.
Інші пропозиції IXTT30N50L2 за ціною від 995.4 грн до 1325.3 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
IXTT30N50L2 | Виробник : IXYS |
![]() |
на замовлення 300 шт: термін постачання 329-338 дні (днів) |
|
||||||
![]() |
IXTT30N50L2 | Виробник : Littelfuse |
![]() |
товар відсутній |
|||||||
![]() |
IXTT30N50L2 | Виробник : IXYS |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 30A; 400W; TO268; 500ns Mounting: SMD Polarisation: unipolar Kind of package: tube Case: TO268 Features of semiconductor devices: linear power mosfet Gate charge: 240nC Kind of channel: enhanced Reverse recovery time: 0.5µs Drain-source voltage: 500V Drain current: 30A On-state resistance: 0.215Ω Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 400W кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
|||||||
![]() |
IXTT30N50L2 | Виробник : IXYS |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 30A; 400W; TO268; 500ns Mounting: SMD Polarisation: unipolar Kind of package: tube Case: TO268 Features of semiconductor devices: linear power mosfet Gate charge: 240nC Kind of channel: enhanced Reverse recovery time: 0.5µs Drain-source voltage: 500V Drain current: 30A On-state resistance: 0.215Ω Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 400W |
товар відсутній |