IXTT20P50P

IXTT20P50P Littelfuse


media.pdf Виробник: Littelfuse
Trans MOSFET P-CH 500V 20A 3-Pin(2+Tab) TO-268
на замовлення 240 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
240+561.4 грн
Мінімальне замовлення: 240
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IXTT20P50P Littelfuse

Description: MOSFET P-CH 500V 20A TO268, Packaging: Tube, Package / Case: TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 10A, 10V, Power Dissipation (Max): 460W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-268AA, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 103 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5120 pF @ 25 V.

Інші пропозиції IXTT20P50P за ціною від 492.09 грн до 1214.91 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
IXTT20P50P IXTT20P50P Виробник : Littelfuse media.pdf Trans MOSFET P-CH 500V 20A 3-Pin(2+Tab) TO-268
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+828.48 грн
10+ 760.48 грн
25+ 746.49 грн
IXTT20P50P IXTT20P50P Виробник : Littelfuse media.pdf Trans MOSFET P-CH 500V 20A 3-Pin(2+Tab) TO-268
на замовлення 1467 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+934.13 грн
10+ 842.57 грн
25+ 826.49 грн
50+ 788.96 грн
100+ 649.44 грн
500+ 492.09 грн
IXTT20P50P IXTT20P50P Виробник : LITTELFUSE littelfuse_discrete_mosfets_p-channel_ixt_20p50p_datasheet.pdf.pdf Description: LITTELFUSE - IXTT20P50P - MOSFET, P-CH, 500V, 20A, TO-268
Transistormontage: Surface Mount
Drain-Source-Spannung Vds: 500
Dauer-Drainstrom Id: 20
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
Verlustleistung Pd: 460
Bauform - Transistor: TO-268 (D3PAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: PolarP Series
Wandlerpolarität: P Channel
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.45
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 4.5
SVHC: To Be Advised
на замовлення 15 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+996 грн
5+ 956.13 грн
10+ 915.48 грн
IXTT20P50P IXTT20P50P Виробник : Littelfuse media.pdf Trans MOSFET P-CH 500V 20A 3-Pin(2+Tab) TO-268
на замовлення 1467 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
13+1005.98 грн
14+ 907.38 грн
25+ 890.06 грн
50+ 849.65 грн
100+ 699.4 грн
500+ 529.94 грн
Мінімальне замовлення: 13
IXTT20P50P IXTT20P50P Виробник : IXYS media-3321119.pdf MOSFET -20.0 Amps -500V 0.450 Rds
на замовлення 840 шт:
термін постачання 420-429 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+1098.45 грн
30+ 876.79 грн
120+ 739.42 грн
IXTT20P50P IXTT20P50P Виробник : Littelfuse media.pdf Trans MOSFET P-CH 500V 20A 3-Pin(2+Tab) TO-268
на замовлення 240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
30+1214.91 грн
Мінімальне замовлення: 30
IXTT20P50P IXTT20P50P Виробник : Littelfuse fuse_discrete_mosfets_p-channel_ixt_20p50p_datasheet.pdf.pdf Trans MOSFET P-CH 500V 20A 3-Pin(2+Tab) TO-268
товар відсутній
IXTT20P50P IXTT20P50P Виробник : IXYS IXT_20P50P.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; PolarP™; unipolar; -500V; -20A; 460W; TO268
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: PolarP™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -500V
Drain current: -20A
Power dissipation: 460W
Case: TO268
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.45Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 103nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Reverse recovery time: 406ns
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IXTT20P50P IXTT20P50P Виробник : IXYS littelfuse_discrete_mosfets_p-channel_ixt_20p50p_datasheet.pdf.pdf Description: MOSFET P-CH 500V 20A TO268
Packaging: Tube
Package / Case: TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 460W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-268AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 103 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5120 pF @ 25 V
товар відсутній
IXTT20P50P IXTT20P50P Виробник : IXYS IXT_20P50P.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; PolarP™; unipolar; -500V; -20A; 460W; TO268
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: PolarP™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -500V
Drain current: -20A
Power dissipation: 460W
Case: TO268
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.45Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 103nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Reverse recovery time: 406ns
товар відсутній