![IXTT20P50P IXTT20P50P](https://static6.arrow.com/aropdfconversion/arrowimages/d3262886a8a61776e5ebe067123547565f5f016a/to268.jpg)
на замовлення 240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
240+ | 561.4 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IXTT20P50P Littelfuse
Description: MOSFET P-CH 500V 20A TO268, Packaging: Tube, Package / Case: TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 10A, 10V, Power Dissipation (Max): 460W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-268AA, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 103 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5120 pF @ 25 V.
Інші пропозиції IXTT20P50P за ціною від 492.09 грн до 1214.91 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
IXTT20P50P | Виробник : Littelfuse |
![]() |
на замовлення 30 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IXTT20P50P | Виробник : Littelfuse |
![]() |
на замовлення 1467 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IXTT20P50P | Виробник : LITTELFUSE |
![]() Transistormontage: Surface Mount Drain-Source-Spannung Vds: 500 Dauer-Drainstrom Id: 20 Rds(on)-Messspannung Vgs: 10 Verlustleistung Pd: 460 Bauform - Transistor: TO-268 (D3PAK) Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: PolarP Series Wandlerpolarität: P Channel Betriebswiderstand, Rds(on): 0.45 Betriebstemperatur, max.: 150 Schwellenspannung Vgs: 4.5 SVHC: To Be Advised |
на замовлення 15 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IXTT20P50P | Виробник : Littelfuse |
![]() |
на замовлення 1467 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IXTT20P50P | Виробник : IXYS |
![]() |
на замовлення 840 шт: термін постачання 420-429 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IXTT20P50P | Виробник : Littelfuse |
![]() |
на замовлення 240 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IXTT20P50P | Виробник : Littelfuse |
![]() |
товар відсутній |
|||||||||||||||
![]() |
IXTT20P50P | Виробник : IXYS |
![]() Description: Transistor: P-MOSFET; PolarP™; unipolar; -500V; -20A; 460W; TO268 Type of transistor: P-MOSFET Technology: PolarP™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -500V Drain current: -20A Power dissipation: 460W Case: TO268 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.45Ω Mounting: SMD Gate charge: 103nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced Reverse recovery time: 406ns кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
|||||||||||||||
![]() |
IXTT20P50P | Виробник : IXYS |
![]() Packaging: Tube Package / Case: TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 460W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-268AA Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 103 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5120 pF @ 25 V |
товар відсутній |
|||||||||||||||
![]() |
IXTT20P50P | Виробник : IXYS |
![]() Description: Transistor: P-MOSFET; PolarP™; unipolar; -500V; -20A; 460W; TO268 Type of transistor: P-MOSFET Technology: PolarP™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -500V Drain current: -20A Power dissipation: 460W Case: TO268 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.45Ω Mounting: SMD Gate charge: 103nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced Reverse recovery time: 406ns |
товар відсутній |