![IXTT140P10T IXTT140P10T](https://export.farnell.com/productimages/standard/en_GB/GE3TO268-40.jpg)
IXTT140P10T LITTELFUSE
![LFSI-S-A0007924819-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0](/images/adobe-acrobat.png)
Description: LITTELFUSE - IXTT140P10T - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 140 A, 0.01 ohm, TO-268 (D3PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 140A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 568W
Bauform - Transistor: TO-268 (D3PAK)
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: PW Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.01ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
на замовлення 84 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 1386.65 грн |
5+ | 1303.98 грн |
10+ | 1221.31 грн |
50+ | 1057.31 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IXTT140P10T LITTELFUSE
Description: LITTELFUSE - IXTT140P10T - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 140 A, 0.01 ohm, TO-268 (D3PAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 140A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 568W, Bauform - Transistor: TO-268 (D3PAK), Anzahl der Pins: 3Pins, Produktpalette: PW Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.01ohm, SVHC: No SVHC (17-Jan-2022).
Інші пропозиції IXTT140P10T за ціною від 1023.36 грн до 3099.6 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
IXTT140P10T | Виробник : Littelfuse Inc. |
![]() Packaging: Tube Package / Case: TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 140A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 70A, 10V Power Dissipation (Max): 568W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-268AA Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±15V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 400 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 31400 pF @ 25 V |
на замовлення 351 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
IXTT140P10T | Виробник : IXYS |
![]() |
на замовлення 919 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
IXTT140P10T | Виробник : IXYS |
![]() |
на замовлення 15 шт: термін постачання 2-3 дні (днів) |
|
|||||||||||||
![]() |
IXTT140P10T | Виробник : Littelfuse |
![]() |
товар відсутній |
|||||||||||||
![]() |
IXTT140P10T | Виробник : Littelfuse |
![]() |
товар відсутній |
|||||||||||||
![]() |
IXTT140P10T | Виробник : IXYS |
![]() Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchP™; unipolar; -100V; -140A; 568W; TO268 Type of transistor: P-MOSFET Technology: TrenchP™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -100V Drain current: -140A Power dissipation: 568W Case: TO268 Gate-source voltage: ±15V On-state resistance: 10mΩ Mounting: SMD Gate charge: 400nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced Reverse recovery time: 130ns кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
|||||||||||||
![]() |
IXTT140P10T | Виробник : IXYS |
![]() Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchP™; unipolar; -100V; -140A; 568W; TO268 Type of transistor: P-MOSFET Technology: TrenchP™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -100V Drain current: -140A Power dissipation: 568W Case: TO268 Gate-source voltage: ±15V On-state resistance: 10mΩ Mounting: SMD Gate charge: 400nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced Reverse recovery time: 130ns |
товар відсутній |