IXTR32P60P IXYS
Виробник: IXYSCategory: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; PolarP™; unipolar; -600V; -18A; 310W; 480ns
Reverse recovery time: 480ns
Drain-source voltage: -600V
Drain current: -18A
On-state resistance: 0.385Ω
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 310W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 196nC
Technology: PolarP™
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: THT
Case: ISOPLUS247™
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IXTR32P60P IXYS
Category: THT P channel transistors, Description: Transistor: P-MOSFET; PolarP™; unipolar; -600V; -18A; 310W; 480ns, Reverse recovery time: 480ns, Drain-source voltage: -600V, Drain current: -18A, On-state resistance: 0.385Ω, Type of transistor: P-MOSFET, Power dissipation: 310W, Polarisation: unipolar, Kind of package: tube, Gate charge: 196nC, Technology: PolarP™, Kind of channel: enhanced, Gate-source voltage: ±20V, Mounting: THT, Case: ISOPLUS247™, кількість в упаковці: 1 шт.
Інші пропозиції IXTR32P60P
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
IXTR32P60P | Виробник : Littelfuse |
Trans MOSFET P-CH Si 600V 18A 3-Pin(3+Tab) ISOPLUS 247 |
товар відсутній |
|
 |
IXTR32P60P | Виробник : IXYS |
Description: MOSFET P-CH 600V 18A ISOPLUS247 |
товар відсутній |
|
 |
IXTR32P60P | Виробник : IXYS |
MOSFET -18 Amps -600V 0.385 Rds |
товар відсутній |
|
|
|
IXTR32P60P | Виробник : IXYS |
Category: THT P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; PolarP™; unipolar; -600V; -18A; 310W; 480ns Reverse recovery time: 480ns Drain-source voltage: -600V Drain current: -18A On-state resistance: 0.385Ω Type of transistor: P-MOSFET Power dissipation: 310W Polarisation: unipolar Kind of package: tube Gate charge: 196nC Technology: PolarP™ Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Mounting: THT Case: ISOPLUS247™ |
товар відсутній |