Технічний опис IXTR16P60P IXYS
Category: THT P channel transistors, Description: Transistor: P-MOSFET; PolarP™; unipolar; -600V; -10A; 190W; 440ns, Case: ISOPLUS247™, Mounting: THT, Kind of package: tube, Gate charge: 92nC, Technology: PolarP™, Kind of channel: enhanced, Gate-source voltage: ±20V, Reverse recovery time: 440ns, Drain-source voltage: -600V, Drain current: -10A, On-state resistance: 0.79Ω, Type of transistor: P-MOSFET, Power dissipation: 190W, Polarisation: unipolar, кількість в упаковці: 1 шт.
Інші пропозиції IXTR16P60P
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
IXTR16P60P | Виробник : IXYS |
 Category: THT P channel transistorsDescription: Transistor: P-MOSFET; PolarP™; unipolar; -600V; -10A; 190W; 440ns Case: ISOPLUS247™ Mounting: THT Kind of package: tube Gate charge: 92nC Technology: PolarP™ Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Reverse recovery time: 440ns Drain-source voltage: -600V Drain current: -10A On-state resistance: 0.79Ω Type of transistor: P-MOSFET Power dissipation: 190W Polarisation: unipolar кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
|
 |
IXTR16P60P | Виробник : Littelfuse |
Trans MOSFET P-CH Si 600V 10A 3-Pin(3+Tab) ISOPLUS 247 |
товар відсутній |
|
 |
IXTR16P60P | Виробник : IXYS |
MOSFET -10.0 Amps -600V 0.790 Rds |
товар відсутній |
|
|
|
IXTR16P60P | Виробник : IXYS |
Category: THT P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; PolarP™; unipolar; -600V; -10A; 190W; 440ns Case: ISOPLUS247™ Mounting: THT Kind of package: tube Gate charge: 92nC Technology: PolarP™ Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Reverse recovery time: 440ns Drain-source voltage: -600V Drain current: -10A On-state resistance: 0.79Ω Type of transistor: P-MOSFET Power dissipation: 190W Polarisation: unipolar |
товар відсутній |