IXTR102N65X2 Littelfuse Inc.
Виробник: Littelfuse Inc.Description: MOSFET N-CH 650V 54A ISOPLUS247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 54A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33mOhm @ 51A, 10V
Power Dissipation (Max): 330W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: ISOPLUS247™
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 152 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10900 pF @ 25 V
на замовлення 210 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 30+ | 1131.99 грн |
| 90+ | 1021.95 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IXTR102N65X2 Littelfuse Inc.
Description: MOSFET N-CH 650V 54A ISOPLUS247, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 54A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33mOhm @ 51A, 10V, Power Dissipation (Max): 330W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA, Supplier Device Package: ISOPLUS247™, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 152 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10900 pF @ 25 V.
Інші пропозиції IXTR102N65X2 за ціною від 1125.56 грн до 1489.16 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IXTR102N65X2 | Виробник : IXYS |
MOSFET MSFT N-CH ULTRA JNCT X2 3&44 |
на замовлення 265 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||
 |
IXTR102N65X2 | Виробник : Littelfuse |
Trans MOSFET N-CH 650V 54A 3-Pin(3+Tab) ISOPLUS 247 |
товар відсутній |
|||||||||
 |
IXTR102N65X2 | Виробник : IXYS |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 54A; 330W; ISOPLUS247™; 450ns Case: ISOPLUS247™ Mounting: THT Kind of package: tube Power dissipation: 330W Polarisation: unipolar Features of semiconductor devices: ultra junction x-class Gate charge: 152nC Kind of channel: enhanced Reverse recovery time: 450ns Drain-source voltage: 650V Drain current: 54A On-state resistance: 33mΩ Type of transistor: N-MOSFET кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
|||||||||
|
|
IXTR102N65X2 | Виробник : IXYS |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 54A; 330W; ISOPLUS247™; 450ns Case: ISOPLUS247™ Mounting: THT Kind of package: tube Power dissipation: 330W Polarisation: unipolar Features of semiconductor devices: ultra junction x-class Gate charge: 152nC Kind of channel: enhanced Reverse recovery time: 450ns Drain-source voltage: 650V Drain current: 54A On-state resistance: 33mΩ Type of transistor: N-MOSFET |
товар відсутній |