IXTQ60N20L2 IXYS
Виробник: IXYSDescription: MOSFET N-CH 200V 60A TO3P
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 540W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-3P
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 255 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10500 pF @ 25 V
на замовлення 750 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 1296.66 грн |
| 30+ | 1011.08 грн |
| 120+ | 951.61 грн |
| 510+ | 809.33 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IXTQ60N20L2 IXYS
Description: MOSFET N-CH 200V 60A TO3P, Packaging: Tube, Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 30A, 10V, Power Dissipation (Max): 540W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-3P, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 255 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10500 pF @ 25 V.
Інші пропозиції IXTQ60N20L2 за ціною від 802.84 грн до 1409.04 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IXTQ60N20L2 | Виробник : IXYS |
MOSFET LINEAR L2 SERIES MOSFET 200V 60A |
на замовлення 34 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IXTQ60N20L2 | Виробник : IXYS |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 60A; 540W; TO3P; 330ns Mounting: THT Polarisation: unipolar Kind of package: tube Case: TO3P Drain-source voltage: 200V Drain current: 60A On-state resistance: 45mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 540W Features of semiconductor devices: linear power mosfet Gate charge: 255nC Kind of channel: enhanced Reverse recovery time: 330ns кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
|
|
IXTQ60N20L2 | Виробник : IXYS |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 60A; 540W; TO3P; 330ns Mounting: THT Polarisation: unipolar Kind of package: tube Case: TO3P Drain-source voltage: 200V Drain current: 60A On-state resistance: 45mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 540W Features of semiconductor devices: linear power mosfet Gate charge: 255nC Kind of channel: enhanced Reverse recovery time: 330ns |
товар відсутній |