на замовлення 269 шт:
термін постачання 322-331 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 565.95 грн |
| 10+ | 477.81 грн |
| 30+ | 376.74 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IXTQ52P10P IXYS
Description: LITTELFUSE - IXTQ52P10P - MOSFET, P-CH, 100V, 52A, TO-3P, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Through Hole, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 52A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 300W, Bauform - Transistor: TO-3P, Anzahl der Pins: 3Pins, Produktpalette: PolarP Series, productTraceability: No, Kanaltyp: P Channel, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.05ohm, directShipCharge: 25, SVHC: No SVHC (17-Dec-2014).
Інші пропозиції IXTQ52P10P за ціною від 243.83 грн до 618.67 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IXTQ52P10P | Виробник : LITTELFUSE |
 Description: LITTELFUSE - IXTQ52P10P - MOSFET, P-CH, 100V, 52A, TO-3PtariffCode: 85412900 Transistormontage: Through Hole Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 52A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 300W Bauform - Transistor: TO-3P Anzahl der Pins: 3Pins Produktpalette: PolarP Series productTraceability: No Kanaltyp: P Channel Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.05ohm directShipCharge: 25 SVHC: No SVHC (17-Dec-2014) |
на замовлення 11 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
IXTQ52P10P | Виробник : Littelfuse Inc. |
Description: MOSFET P-CH 100V 52A TO3P Packaging: Tube Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 52A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 52A, 10V Power Dissipation (Max): 300W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-3P Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2845 pF @ 25 V |
на замовлення 4584 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
IXTQ52P10P | Виробник : Littelfuse |
Trans MOSFET P-CH 100V 52A 3-Pin(3+Tab) TO-3P |
товар відсутній |
|||||||||||
 |
IXTQ52P10P | Виробник : IXYS |
Category: THT P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; PolarP™; unipolar; -100V; -52A; 300W; TO3P Kind of package: tube Gate charge: 60nC Technology: PolarP™ Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Mounting: THT Case: TO3P Reverse recovery time: 120ns Drain-source voltage: -100V Drain current: -52A On-state resistance: 50mΩ Type of transistor: P-MOSFET Power dissipation: 300W Polarisation: unipolar кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
|||||||||||
|
|
IXTQ52P10P | Виробник : IXYS |
Category: THT P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; PolarP™; unipolar; -100V; -52A; 300W; TO3P Kind of package: tube Gate charge: 60nC Technology: PolarP™ Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Mounting: THT Case: TO3P Reverse recovery time: 120ns Drain-source voltage: -100V Drain current: -52A On-state resistance: 50mΩ Type of transistor: P-MOSFET Power dissipation: 300W Polarisation: unipolar |
товар відсутній |