Продукція > IXYS SEMICONDUCTOR > IXTQ52N30P
IXTQ52N30P

IXTQ52N30P IXYS SEMICONDUCTOR

littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_standard_ixt_52n30p_datasheet.pdf.pdf Виробник: IXYS SEMICONDUCTOR
Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXTQ52N30P - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 300 V, 52 A, 0.073 ohm, TO-3P, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 300V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 52A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 400W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 400W
Bauform - Transistor: TO-3P
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Polar
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.073ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.073ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 329 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+400.86 грн
5+ 382.15 грн
10+ 362.65 грн
50+ 307.78 грн
100+ 257.36 грн
250+ 252.02 грн
Мінімальне замовлення: 2
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IXTQ52N30P IXYS SEMICONDUCTOR

Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXTQ52N30P - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 300 V, 52 A, 0.073 ohm, TO-3P, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 300V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 52A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 400W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 400W, Bauform - Transistor: TO-3P, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: Polar, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.073ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.073ohm, SVHC: No SVHC (17-Jan-2023).

Інші пропозиції IXTQ52N30P за ціною від 270.85 грн до 519.41 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
IXTQ52N30P IXTQ52N30P Виробник : IXYS IXTQ52N30P-DTE.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 300V; 52A; 400W; TO3P; 250ns
Mounting: THT
Case: TO3P
Polarisation: unipolar
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 400W
On-state resistance: 73mΩ
Kind of package: tube
Drain current: 52A
Drain-source voltage: 300V
Reverse recovery time: 250ns
Gate charge: 110nC
Technology: Polar™
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
на замовлення 217 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+432.84 грн
3+ 286.05 грн
9+ 270.85 грн
IXTQ52N30P IXTQ52N30P Виробник : IXYS media-3321946.pdf MOSFETs 52 Amps 300V 0.066 Ohm Rds
на замовлення 325 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+506.93 грн
10+ 428.53 грн
30+ 337.88 грн
120+ 311.46 грн
IXTQ52N30P IXTQ52N30P Виробник : IXYS IXTQ52N30P-DTE.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 300V; 52A; 400W; TO3P; 250ns
Mounting: THT
Case: TO3P
Polarisation: unipolar
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 400W
On-state resistance: 73mΩ
Kind of package: tube
Drain current: 52A
Drain-source voltage: 300V
Reverse recovery time: 250ns
Gate charge: 110nC
Technology: Polar™
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 217 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+519.41 грн
3+ 356.47 грн
9+ 325.01 грн
270+ 322.41 грн
510+ 312.85 грн
IXTQ52N30P Виробник : IXYS littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_standard_ixt_52n30p_datasheet.pdf.pdf Транзистор польовий N-Channel MOSFET Udss=300 V; Id=52 A; Rds=0,073 Ohm TO-3P
на замовлення 30 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+356.81 грн
10+ 324.12 грн
IXTQ52N30P
Код товару: 143359 		littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_standard_ixt_52n30p_datasheet.pdf.pdf Транзистори > Польові N-канальні
товар відсутній
IXTQ52N30P IXTQ52N30P Виробник : Littelfuse rete_mosfets_n-channel_standard_ixt_52n30p_datasheet.pdf.pdf Trans MOSFET N-CH 300V 52A 3-Pin(3+Tab) TO-3P
товар відсутній
IXTQ52N30P IXTQ52N30P Виробник : Littelfuse Inc. littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_standard_ixt_52n30p_datasheet.pdf.pdf Description: MOSFET N-CH 300V 52A TO3P
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 52A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 66mOhm @ 26A, 10V
Power Dissipation (Max): 400W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-3P
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 300 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3490 pF @ 25 V
товар відсутній