![IXTQ50N25T IXTQ50N25T](https://www.mouser.com/images/mouserelectronics/lrg/TO_3P_SPL.jpg)
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 340.29 грн |
30+ | 278.84 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IXTQ50N25T IXYS
Description: MOSFET N-CH 250V 50A TO3P, Packaging: Tube, Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 25A, 10V, Power Dissipation (Max): 400W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA, Supplier Device Package: TO-3P, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 78 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4000 pF @ 25 V.
Інші пропозиції IXTQ50N25T за ціною від 306.89 грн до 445.89 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
IXTQ50N25T | Виробник : IXYS |
![]() Packaging: Tube Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 25A, 10V Power Dissipation (Max): 400W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA Supplier Device Package: TO-3P Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 78 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4000 pF @ 25 V |
на замовлення 234 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
IXTQ50N25T | Виробник : Ixys Semiconductor GmbH |
![]() |
на замовлення 12 шт: термін постачання 5 дні (днів) |
||||||||||
![]() |
IXTQ50N25T Код товару: 59390 |
![]() |
товар відсутній
|
||||||||||
![]() |
IXTQ50N25T | Виробник : Littelfuse |
![]() |
товар відсутній |
|||||||||
![]() |
IXTQ50N25T | Виробник : IXYS |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 50A; 400W; TO3P; 166ns Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 250V Drain current: 50A Power dissipation: 400W Case: TO3P On-state resistance: 50mΩ Mounting: THT Gate charge: 78nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet Reverse recovery time: 166ns кількість в упаковці: 300 шт |
товар відсутній |
|||||||||
![]() |
IXTQ50N25T | Виробник : IXYS |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 50A; 400W; TO3P; 166ns Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 250V Drain current: 50A Power dissipation: 400W Case: TO3P On-state resistance: 50mΩ Mounting: THT Gate charge: 78nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet Reverse recovery time: 166ns |
товар відсутній |