IXTQ470P2 IXYS
Виробник: IXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 42A; 830W; TO3P; 400ns
Case: TO3P
Mounting: THT
On-state resistance: 0.145Ω
Kind of package: tube
Power dissipation: 830W
Drain current: 42A
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Features of semiconductor devices: standard power mosfet
Gate charge: 88nC
Kind of channel: enhanced
Reverse recovery time: 400ns
Drain-source voltage: 500V
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IXTQ470P2 IXYS
Category: THT N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 42A; 830W; TO3P; 400ns, Case: TO3P, Mounting: THT, On-state resistance: 0.145Ω, Kind of package: tube, Power dissipation: 830W, Drain current: 42A, Type of transistor: N-MOSFET, Polarisation: unipolar, Features of semiconductor devices: standard power mosfet, Gate charge: 88nC, Kind of channel: enhanced, Reverse recovery time: 400ns, Drain-source voltage: 500V, кількість в упаковці: 1 шт.
Інші пропозиції IXTQ470P2
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
IXTQ470P2 | Виробник : IXYS |
Description: MOSFET N-CH 500V 42A TO3P |
товар відсутній |
|
 |
IXTQ470P2 | Виробник : IXYS |
MOSFET PolarP2 Power MOSFET |
товар відсутній |
|
|
|
IXTQ470P2 | Виробник : IXYS |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 42A; 830W; TO3P; 400ns Case: TO3P Mounting: THT On-state resistance: 0.145Ω Kind of package: tube Power dissipation: 830W Drain current: 42A Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Features of semiconductor devices: standard power mosfet Gate charge: 88nC Kind of channel: enhanced Reverse recovery time: 400ns Drain-source voltage: 500V |
товар відсутній |