Продукція > IXYS > IXTQ30N60P
IXTQ30N60P

IXTQ30N60P IXYS

IXTH(Q,T,V)30N60P_S.pdf Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 30A; 540W; TO3P; 500ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 30A
Power dissipation: 540W
Case: TO3P
On-state resistance: 0.24Ω
Mounting: THT
Gate charge: 82nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: standard power mosfet
Reverse recovery time: 0.5µs
на замовлення 29 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+623.87 грн
3+ 415.24 грн
6+ 392.74 грн
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IXTQ30N60P IXYS

Description: MOSFET N-CH 600V 30A TO3P, Packaging: Tube, Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 240mOhm @ 15A, 10V, Power Dissipation (Max): 540W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-3P, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 82 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5050 pF @ 25 V.

Інші пропозиції IXTQ30N60P за ціною від 471.29 грн до 748.65 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
IXTQ30N60P IXTQ30N60P Виробник : IXYS media-3323016.pdf MOSFETs 30.0 Amps 600 V 0.24 Ohm Rds
на замовлення 19 шт:
термін постачання 343-352 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+748.02 грн
10+ 736.53 грн
30+ 511.53 грн
IXTQ30N60P IXTQ30N60P Виробник : IXYS IXTH(Q,T,V)30N60P_S.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 30A; 540W; TO3P; 500ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 30A
Power dissipation: 540W
Case: TO3P
On-state resistance: 0.24Ω
Mounting: THT
Gate charge: 82nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: standard power mosfet
Reverse recovery time: 0.5µs
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 29 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+748.65 грн
3+ 517.46 грн
6+ 471.29 грн
IXTQ30N60P IXTQ30N60P Виробник : Littelfuse rete_mosfets_n-channel_standard_ixt_30n60p_datasheet.pdf.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-3P
товар відсутній
IXTQ30N60P IXTQ30N60P Виробник : Littelfuse Inc. littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_standard_ixt_30n60p_datasheet.pdf.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 30A TO3P
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 240mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 540W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-3P
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 82 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5050 pF @ 25 V
товар відсутній