Продукція > IXYS > IXTQ30N50L2
IXTQ30N50L2

IXTQ30N50L2 IXYS


media-3322846.pdf Виробник: IXYS
MOSFETs LINEAR L2 SERIES MOSFET 500V 30A
на замовлення 1 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+1170 грн
10+ 1016.24 грн
30+ 859.99 грн
60+ 811.21 грн
120+ 763.82 грн
270+ 734.55 грн
510+ 700.4 грн
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IXTQ30N50L2 IXYS

Category: THT N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 30A; 400W; TO3P; 500ns, Mounting: THT, Polarisation: unipolar, Kind of package: tube, Case: TO3P, Features of semiconductor devices: linear power mosfet, Gate charge: 240nC, Kind of channel: enhanced, Reverse recovery time: 0.5µs, Drain-source voltage: 500V, Drain current: 30A, On-state resistance: 0.215Ω, Type of transistor: N-MOSFET, Power dissipation: 400W, кількість в упаковці: 1 шт.

Інші пропозиції IXTQ30N50L2

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
IXTQ30N50L2 IXTQ30N50L2 Виробник : IXYS IXT(H,Q,T)30N50L2.pdf Description: MOSFET N-CH 500V 30A TO3P
на замовлення 960 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
IXTQ30N50L2 IXTQ30N50L2 Виробник : IXYS IXTH(Q,T)30N50L2.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 30A; 400W; TO3P; 500ns
Mounting: THT
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Case: TO3P
Features of semiconductor devices: linear power mosfet
Gate charge: 240nC
Kind of channel: enhanced
Reverse recovery time: 0.5µs
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 30A
On-state resistance: 0.215Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 400W
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IXTQ30N50L2 IXTQ30N50L2 Виробник : IXYS IXTH(Q,T)30N50L2.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 30A; 400W; TO3P; 500ns
Mounting: THT
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Case: TO3P
Features of semiconductor devices: linear power mosfet
Gate charge: 240nC
Kind of channel: enhanced
Reverse recovery time: 0.5µs
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 30A
On-state resistance: 0.215Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 400W
товар відсутній