IXTQ30N50L IXYS
Виробник: IXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 30A; 400W; TO3P; 500ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 30A
Power dissipation: 400W
Case: TO3P
On-state resistance: 0.2Ω
Mounting: THT
Gate charge: 240nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: linear power mosfet
Reverse recovery time: 0.5µs
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IXTQ30N50L IXYS
Category: THT N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 30A; 400W; TO3P; 500ns, Type of transistor: N-MOSFET, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: 500V, Drain current: 30A, Power dissipation: 400W, Case: TO3P, On-state resistance: 0.2Ω, Mounting: THT, Gate charge: 240nC, Kind of package: tube, Kind of channel: enhanced, Features of semiconductor devices: linear power mosfet, Reverse recovery time: 0.5µs, кількість в упаковці: 1 шт.
Інші пропозиції IXTQ30N50L
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
IXTQ30N50L | Виробник : IXYS |
Description: MOSFET N-CH 500V 30A TO-3P |
товар відсутній |
|
 |
IXTQ30N50L | Виробник : IXYS |
MOSFETs 30 Amps 500V |
товар відсутній |
|
|
|
IXTQ30N50L | Виробник : IXYS |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 30A; 400W; TO3P; 500ns Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 500V Drain current: 30A Power dissipation: 400W Case: TO3P On-state resistance: 0.2Ω Mounting: THT Gate charge: 240nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced Features of semiconductor devices: linear power mosfet Reverse recovery time: 0.5µs |
товар відсутній |