![IXTQ26P20P IXTQ26P20P](https://mm.digikey.com/Volume0/opasdata/d220001/medias/images/4818/238%3BTO3P%3B%3B3.jpg)
IXTQ26P20P Littelfuse Inc.
![IX%28T%2CH%2CP%2CQ%29A26P20P.pdf](/images/adobe-acrobat.png)
Description: MOSFET P-CH 200V 26A TO3P
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 170mOhm @ 13A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-3P
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2740 pF @ 25 V
на замовлення 685 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 511.13 грн |
30+ | 392.64 грн |
120+ | 351.31 грн |
510+ | 290.91 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IXTQ26P20P Littelfuse Inc.
Description: MOSFET P-CH 200V 26A TO3P, Packaging: Tube, Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 170mOhm @ 13A, 10V, Power Dissipation (Max): 300W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-3P, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2740 pF @ 25 V.
Інші пропозиції IXTQ26P20P за ціною від 328.25 грн до 561.02 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
IXTQ26P20P | Виробник : IXYS |
![]() |
на замовлення 322 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||
![]() |
IXTQ26P20P | Виробник : Littelfuse |
![]() |
товар відсутній |
|||||||||||
![]() |
IXTQ26P20P | Виробник : IXYS |
![]() Description: Transistor: P-MOSFET; PolarP™; unipolar; -200V; -26A; 300W; TO3P Mounting: THT Case: TO3P Kind of package: tube Polarisation: unipolar Type of transistor: P-MOSFET On-state resistance: 0.17Ω Drain current: -26A Drain-source voltage: -200V Gate charge: 56nC Reverse recovery time: 240ns Technology: PolarP™ Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Power dissipation: 300W кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
|||||||||||
![]() |
IXTQ26P20P | Виробник : IXYS |
![]() Description: Transistor: P-MOSFET; PolarP™; unipolar; -200V; -26A; 300W; TO3P Mounting: THT Case: TO3P Kind of package: tube Polarisation: unipolar Type of transistor: P-MOSFET On-state resistance: 0.17Ω Drain current: -26A Drain-source voltage: -200V Gate charge: 56nC Reverse recovery time: 240ns Technology: PolarP™ Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Power dissipation: 300W |
товар відсутній |