Продукція > IXYS > IXTQ26N50P
IXTQ26N50P

IXTQ26N50P IXYS

media-3322826.pdf Виробник: IXYS
MOSFETs 26.0 Amps 500 V 0.23 Ohm Rds
на замовлення 295 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+396.78 грн
10+ 354.24 грн
30+ 289.92 грн
120+ 285.04 грн
510+ 264.83 грн
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IXTQ26N50P IXYS

Description: MOSFET N-CH 500V 26A TO3P, Packaging: Tube, Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 230mOhm @ 13A, 10V, Power Dissipation (Max): 400W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-3P, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3600 pF @ 25 V.

Інші пропозиції IXTQ26N50P за ціною від 298.37 грн до 520.67 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
IXTQ26N50P IXTQ26N50P Виробник : IXYS IXTQ(T,V)26N50P_S.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 26A; 400W; TO3P; 300ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 26A
Power dissipation: 400W
Case: TO3P
On-state resistance: 0.23Ω
Mounting: THT
Gate charge: 65nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: standard power mosfet
Reverse recovery time: 300ns
на замовлення 301 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+433.9 грн
3+ 325.23 грн
8+ 307.08 грн
30+ 298.37 грн
IXTQ26N50P IXTQ26N50P Виробник : IXYS IXTQ(T,V)26N50P_S.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 26A; 400W; TO3P; 300ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 26A
Power dissipation: 400W
Case: TO3P
On-state resistance: 0.23Ω
Mounting: THT
Gate charge: 65nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: standard power mosfet
Reverse recovery time: 300ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 301 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+520.67 грн
3+ 405.28 грн
8+ 368.49 грн
30+ 358.04 грн
IXTQ26N50P IXTQ26N50P
Код товару: 94734 		littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_standard_ixt_26n50p_datasheet.pdf.pdf Транзистори > Польові N-канальні
товар відсутній
IXTQ26N50P IXTQ26N50P Виробник : Littelfuse media.pdf Trans MOSFET N-CH 500V 26A 3-Pin(3+Tab) TO-3P
товар відсутній
IXTQ26N50P IXTQ26N50P Виробник : Littelfuse Inc. littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_standard_ixt_26n50p_datasheet.pdf.pdf Description: MOSFET N-CH 500V 26A TO3P
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 230mOhm @ 13A, 10V
Power Dissipation (Max): 400W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-3P
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3600 pF @ 25 V
товар відсутній