![IXTQ150N15P IXTQ150N15P](https://export.farnell.com/productimages/standard/en_GB/GE3TO3P-40.jpg)
IXTQ150N15P IXYS SEMICONDUCTOR
![IXYS-S-A0008595727-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0](/images/adobe-acrobat.png)
Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXTQ150N15P - Leistungs-MOSFET, PolarFET, n-Kanal, 150 V, 150 A, 0.013 ohm, TO-3P, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150
Dauer-Drainstrom Id: 150
Qualifikation: -
Verlustleistung Pd: 714
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5
Verlustleistung: 714
Bauform - Transistor: TO-3P
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.013
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.013
SVHC: No SVHC (12-Jan-2017)
на замовлення 23 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 482.37 грн |
5+ | 472.99 грн |
10+ | 462.82 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IXTQ150N15P IXYS SEMICONDUCTOR
Description: MOSFET N-CH 150V 150A TO3P, Packaging: Tube, Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 500mA, 10V, Power Dissipation (Max): 714W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-3P, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 190 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5800 pF @ 25 V.
Інші пропозиції IXTQ150N15P за ціною від 456.53 грн до 961.86 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
IXTQ150N15P | Виробник : Littelfuse Inc. |
![]() Packaging: Tube Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 500mA, 10V Power Dissipation (Max): 714W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-3P Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 190 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5800 pF @ 25 V |
на замовлення 720 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IXTQ150N15P | Виробник : IXYS |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; PolarHT™; unipolar; 150V; 150A; 714W; TO3P Type of transistor: N-MOSFET Technology: PolarHT™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 150V Drain current: 150A Power dissipation: 714W Case: TO3P Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 13mΩ Mounting: THT Gate charge: 0.19µC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced Reverse recovery time: 150ns |
на замовлення 1 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IXTQ150N15P | Виробник : IXYS |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; PolarHT™; unipolar; 150V; 150A; 714W; TO3P Type of transistor: N-MOSFET Technology: PolarHT™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 150V Drain current: 150A Power dissipation: 714W Case: TO3P Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 13mΩ Mounting: THT Gate charge: 0.19µC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced Reverse recovery time: 150ns кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IXTQ150N15P | Виробник : IXYS |
![]() |
на замовлення 12 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IXTQ150N15P | Виробник : Littelfuse |
![]() |
товар відсутній |