Продукція > IXYS > IXTQ130N20T
IXTQ130N20T

IXTQ130N20T IXYS

IXTQ130N20T_IXTH130N20T.pdf Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Trench™; unipolar; 200V; 75A; Idm: 320A; 830W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: Trench™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 75A
Pulsed drain current: 320A
Power dissipation: 830W
Case: TO3P
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 16mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 150nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Reverse recovery time: 150ns
на замовлення 14 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+622.35 грн
3+ 415.68 грн
6+ 392.51 грн
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IXTQ130N20T IXYS

Description: MOSFET N-CH 200V 130A TO3P, Packaging: Tube, Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 130A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 65A, 10V, Power Dissipation (Max): 830W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA, Supplier Device Package: TO-3P, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8800 pF @ 25 V.

Інші пропозиції IXTQ130N20T за ціною від 468.23 грн до 746.82 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
IXTQ130N20T IXTQ130N20T Виробник : IXYS IXTQ130N20T_IXTH130N20T.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Trench™; unipolar; 200V; 75A; Idm: 320A; 830W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: Trench™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 75A
Pulsed drain current: 320A
Power dissipation: 830W
Case: TO3P
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 16mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 150nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Reverse recovery time: 150ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 14 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+746.82 грн
3+ 518 грн
6+ 471.01 грн
IXTQ130N20T Виробник : Littelfuse Inc. media?resourcetype=datasheets&itemid=cb7b2f23-2d75-435a-b920-9da65561e48c&filename=littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_trench_gate_ixt_130n20t_datasheet.pdf Description: MOSFET N-CH 200V 130A TO3P
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 130A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 65A, 10V
Power Dissipation (Max): 830W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-3P
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8800 pF @ 25 V
на замовлення 960 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
300+468.23 грн
Мінімальне замовлення: 300
IXTQ130N20T Виробник : Littelfuse media.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 130A 3-Pin(3+Tab) TO-3P
товар відсутній
IXTQ130N20T IXTQ130N20T Виробник : IXYS media-3322888.pdf MOSFETs TO3P 200V 130A N-CH TRENCH
товар відсутній