![IXTQ120N20P IXTQ120N20P](https://ce8dc832c.cloudimg.io/v7/_cdn_/5E/A0/00/00/1/2789_1.jpg?width=640&height=480&wat=1&wat_url=_tme-wrk_%2Ftme_new.png&wat_scale=100p&ci_sign=a0a85b3d60ccbc14c69437a32820a05ac2e6f41c)
IXTQ120N20P IXYS
![IXTK120N20P-DTE.pdf](/images/adobe-acrobat.png)
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; PolarHT™; unipolar; 200V; 120A; 714W; TO3P
Case: TO3P
Mounting: THT
Kind of package: tube
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 120A
On-state resistance: 22mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Reverse recovery time: 180ns
Power dissipation: 714W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 152nC
Technology: PolarHT™
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 736.22 грн |
2+ | 559.07 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IXTQ120N20P IXYS
Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXTQ120N20P - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 120 A, 0.022 ohm, TO-3P, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 200V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 120A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 714W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 714W, Bauform - Transistor: TO-3P, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: PolarHT, productTraceability: No, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.022ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.022ohm, SVHC: No SVHC (17-Jan-2023).
Інші пропозиції IXTQ120N20P за ціною від 505.77 грн до 883.46 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
IXTQ120N20P | Виробник : Littelfuse Inc. |
![]() Packaging: Tube Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 500mA, 10V Power Dissipation (Max): 714W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-3P Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 152 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6000 pF @ 25 V |
на замовлення 825 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
![]() |
IXTQ120N20P | Виробник : IXYS |
![]() |
на замовлення 300 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||
![]() |
IXTQ120N20P | Виробник : IXYS SEMICONDUCTOR |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 200V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 120A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 714W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V euEccn: NLR Verlustleistung: 714W Bauform - Transistor: TO-3P Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: PolarHT productTraceability: No Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.022ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.022ohm SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
на замовлення 1 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
![]() |
IXTQ120N20P | Виробник : IXYS |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; PolarHT™; unipolar; 200V; 120A; 714W; TO3P Case: TO3P Mounting: THT Kind of package: tube Drain-source voltage: 200V Drain current: 120A On-state resistance: 22mΩ Type of transistor: N-MOSFET Reverse recovery time: 180ns Power dissipation: 714W Polarisation: unipolar Gate charge: 152nC Technology: PolarHT™ Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 2 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||
![]() |
IXTQ120N20P | Виробник : Littelfuse |
![]() |
товар відсутній |