![IXTP1R6N100D2 IXTP1R6N100D2](https://ce8dc832c.cloudimg.io/v7/_cdn_/13/D8/F0/00/0/1019185_1.jpg?width=640&height=480&wat=1&wat_url=_tme-wrk_%2Ftme_new.png&wat_scale=100p&ci_sign=6f3ba15faede63a19a0aaf103223f109ab9e3523)
IXTP1R6N100D2 IXYS
![IXTA(P,Y)1R6N100D2.pdf](/images/adobe-acrobat.png)
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 1.6A; 100W; TO220AB; 11ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 1.6A
Power dissipation: 100W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 10Ω
Mounting: THT
Gate charge: 645nC
Kind of package: tube
Kind of channel: depleted
Reverse recovery time: 11ns
на замовлення 177 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3+ | 137.93 грн |
8+ | 110.34 грн |
22+ | 104.54 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IXTP1R6N100D2 IXYS
Description: MOSFET N-CH 1000V 1.6A TO220AB, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.6A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10Ohm @ 800mA, 0V, FET Feature: Depletion Mode, Power Dissipation (Max): 100W (Tc), Supplier Device Package: TO-220-3, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 645 pF @ 25 V.
Інші пропозиції IXTP1R6N100D2 за ціною від 116.23 грн до 267.5 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
IXTP1R6N100D2 | Виробник : IXYS |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 1.6A; 100W; TO220AB; 11ns Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 1kV Drain current: 1.6A Power dissipation: 100W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 10Ω Mounting: THT Gate charge: 645nC Kind of package: tube Kind of channel: depleted Reverse recovery time: 11ns кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 177 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IXTP1R6N100D2 | Виробник : Littelfuse Inc. |
![]() Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.6A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10Ohm @ 800mA, 0V FET Feature: Depletion Mode Power Dissipation (Max): 100W (Tc) Supplier Device Package: TO-220-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 645 pF @ 25 V |
на замовлення 1006 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IXTP1R6N100D2 | Виробник : IXYS |
![]() |
на замовлення 550 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IXTP1R6N100D2 | Виробник : Littelfuse |
![]() |
товар відсутній |