![IXTP1N80P IXTP1N80P](https://ce8dc832c.cloudimg.io/v7/_cdn_/3E/EC/00/00/0/52963_1.jpg?width=640&height=480&wat=1&wat_url=_tme-wrk_%2Ftme_new.png&wat_scale=100p&ci_sign=f8f9bf4b4a4988e252372e306e3ffd2b0a45366f)
IXTP1N80P IXYS
![IXTA(P,U,Y)1N80P.pdf](/images/adobe-acrobat.png)
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 1A; 42W; TO220AB; 700ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 1A
Power dissipation: 42W
Case: TO220AB
On-state resistance: 14Ω
Mounting: THT
Gate charge: 9nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: standard power mosfet
Reverse recovery time: 700ns
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IXTP1N80P IXYS
Category: THT N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 1A; 42W; TO220AB; 700ns, Type of transistor: N-MOSFET, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: 800V, Drain current: 1A, Power dissipation: 42W, Case: TO220AB, On-state resistance: 14Ω, Mounting: THT, Gate charge: 9nC, Kind of package: tube, Kind of channel: enhanced, Features of semiconductor devices: standard power mosfet, Reverse recovery time: 700ns, кількість в упаковці: 1 шт.
Інші пропозиції IXTP1N80P
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
---|---|---|---|---|---|
![]() |
IXTP1N80P | Виробник : IXYS |
![]() |
товар відсутній |
|
![]() |
IXTP1N80P | Виробник : IXYS |
![]() |
товар відсутній |
|
![]() |
IXTP1N80P | Виробник : IXYS |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 1A; 42W; TO220AB; 700ns Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 800V Drain current: 1A Power dissipation: 42W Case: TO220AB On-state resistance: 14Ω Mounting: THT Gate charge: 9nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced Features of semiconductor devices: standard power mosfet Reverse recovery time: 700ns |
товар відсутній |